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1N4725

1N4725

Solo per riferimento

Numero parte 1N4725
PNEDA Part # 1N4725
Descrizione DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL
Produttore Microsemi
Prezzo unitario
1 ---------- $172,9123
50 ---------- $164,8070
100 ---------- $156,7017
200 ---------- $148,5965
400 ---------- $141,8421
500 ---------- $135,0877
Disponibile 66
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata gen 16 - gen 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1N4725 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1N4725
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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1N4725 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)1000V
Corrente - Media Rettificata (Io)3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1V @ 3A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr25µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaAxial
Pacchetto dispositivo fornitore-
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 175°C

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 2A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

PMDS

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

TSSE3H45 RVG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

570mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 45V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-123H

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-123HE

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

MR756G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

6A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

900mV @ 6A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

Button, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

Microde Button

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

FR6M05

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

6A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 6A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

500ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AA, DO-4, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-4

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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