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1N3211

1N3211

Solo per riferimento

Numero parte 1N3211
PNEDA Part # 1N3211
Descrizione DIODE GEN PURP 300V 15A DO5
Produttore GeneSiC Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.604
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1N3211 Risorse

Brand GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1N3211
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
1N3211, 1N3211 Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 772,36 KB)
PDF1N3211R Datasheet Copertura
1N3211R Datasheet Pagina 2 1N3211R Datasheet Pagina 3

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1N3211 Specifiche

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)300V
Corrente - Media Rettificata (Io)15A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.5V @ 15A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 50V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioChassis, Stud Mount
Pacchetto / CustodiaDO-203AB, DO-5, Stud
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-5
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 175°C

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Avalanche

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 9A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

100ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

SOD-64, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-64

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

SR1203HR0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

12A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 12A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 30V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-50°C ~ 150°C

AG01AWS

Sanken

Produttore

Sanken

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

500mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 600mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

100ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

Axial

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

SS210L M2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

850mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

Sub SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

STPS30M100ST

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

30A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

800mV @ 30A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

175µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

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