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1N5418-TAP

1N5418-TAP

Solo per riferimento

Numero parte 1N5418-TAP
PNEDA Part # 1N5418-TAP
Descrizione DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.752
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1N5418-TAP Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1N5418-TAP
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
1N5418-TAP, 1N5418-TAP Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 122,49 KB)
PDF1N5418-TAP Datasheet Copertura
1N5418-TAP Datasheet Pagina 2 1N5418-TAP Datasheet Pagina 3 1N5418-TAP Datasheet Pagina 4

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1N5418-TAP Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoAvalanche
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)400V
Corrente - Media Rettificata (Io)3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.5V @ 9A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)100ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr1µA @ 200V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaSOD-64, Axial
Pacchetto dispositivo fornitoreSOD-64
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 175°C

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard, Reverse Polarity

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

60A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 60A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AB, DO-5, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-5

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 200°C

EGP30G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

75pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

SBR®

Tipo di diodo

Super Barrier

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

900mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

530mV @ 750mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 45V

Capacità @ Vr, F

19pF @ 25V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

150ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AC (SMA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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