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19MT050XF

19MT050XF

Solo per riferimento

Numero parte 19MT050XF
PNEDA Part # 19MT050XF
Descrizione MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.172
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

19MT050XF Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte19MT050XF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
19MT050XF, 19MT050XF Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 186,67 KB)
PDF19MT050XF Datasheet Copertura
19MT050XF Datasheet Pagina 2 19MT050XF Datasheet Pagina 3 19MT050XF Datasheet Pagina 4 19MT050XF Datasheet Pagina 5 19MT050XF Datasheet Pagina 6 19MT050XF Datasheet Pagina 7 19MT050XF Datasheet Pagina 8 19MT050XF Datasheet Pagina 9 19MT050XF Datasheet Pagina 10

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  • 19MT050XF Distributor

19MT050XF Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
SerieHEXFET®
Tipo FET4 N-Channel (H-Bridge)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C31A
Rds On (Max) @ Id, Vgs220mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs160nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7210pF @ 25V
Potenza - Max1140W
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / Custodia16-MTP Module
Pacchetto dispositivo fornitore16-MTP

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.9A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

841pF @ 10V

Potenza - Max

870mW

Temperatura di esercizio

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A, 4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.9nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

642pF @ 10V

Potenza - Max

700mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

90A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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