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ECH8651R-TL-HX

ECH8651R-TL-HX

Solo per riferimento

Numero parte ECH8651R-TL-HX
PNEDA Part # ECH8651R-TL-HX
Descrizione MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.248
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ECH8651R-TL-HX Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteECH8651R-TL-HX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
ECH8651R-TL-HX, ECH8651R-TL-HX Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 304,66 KB)
PDFECH8651R-TL-HX Datasheet Copertura
ECH8651R-TL-HX Datasheet Pagina 2 ECH8651R-TL-HX Datasheet Pagina 3 ECH8651R-TL-HX Datasheet Pagina 4 ECH8651R-TL-HX Datasheet Pagina 5 ECH8651R-TL-HX Datasheet Pagina 6 ECH8651R-TL-HX Datasheet Pagina 7

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ECH8651R-TL-HX Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)24V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.5W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore8-ECH

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V, 12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

500mA, 3.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

27.6pF @ 10V

Potenza - Max

1.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 9.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2458pF @ 15V

Potenza - Max

3.3W, 3.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

TT Electronics/Optek Technology

Serie

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Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

90V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A, 1.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

70pF @ 25V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

6-SMD

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Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

160A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Serie

-

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

345pF @ 25V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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