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M48Z12-70PC1
M48Z12-70PC1

STMicroelectronics

Memoria

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24PCDIP

  • Produttore: STMicroelectronics
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 24-PCDIP, CAPHAT®
Disponibile355
S29GL256S90TFI020
S29GL256S90TFI020

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 90ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 56-TSOP
Disponibile1.753
CY7C1069G30-10BVXI
CY7C1069G30-10BVXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)
Disponibile5.979
THGAF8G9T43BAIR
THGAF8G9T43BAIR

Toshiba Memory America, Inc.

Memoria

IC FLASH 512G UFS 153VFBGA

  • Produttore: Toshiba Memory America, Inc.
  • Serie: Consumer UFS
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
  • Interfaccia di memoria: UFS
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 153-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 153-VFBGA (11.5x13)
Disponibile7.632
IS43TR16512AL-125KBL
IS43TR16512AL-125KBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR3L
  • Dimensione della memoria: 8Gb (512M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 800MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 20ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 96-LFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 96-LFBGA (10x14)
Disponibile281
DS1245AB-70+
DS1245AB-70+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-EDIP
Disponibile966
CY7C1313KV18-250BZXI
CY7C1313KV18-250BZXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR II
  • Dimensione della memoria: 18Mb (1M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 250MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)
Disponibile8.279
MR2A16ACMA35
MR2A16ACMA35

Everspin Technologies Inc.

Memoria

IC RAM 4M PARALLEL 48FBGA

  • Produttore: Everspin Technologies Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: RAM
  • Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM)
  • Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns
  • Tempo di accesso: 35ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 48-LFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 48-FBGA (8x8)
Disponibile1.160
RMLV1616AGSA-5S2#AA0
RMLV1616AGSA-5S2#AA0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM
  • Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8, 1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
  • Tempo di accesso: 55ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I
Disponibile73
S25FL256SAGNFI010
S25FL256SAGNFI010

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: FL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (32M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-WDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WSON (6x8)
Disponibile3.835
AT27C1024-70PU
AT27C1024-70PU

Microchip Technology

Memoria

IC EPROM 1M PARALLEL 40DIP

  • Produttore: Microchip Technology
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EPROM
  • Tecnologia: EPROM - OTP
  • Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 40-DIP (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 40-PDIP
Disponibile59
AT27C1024-45JU
AT27C1024-45JU

Microchip Technology

Memoria

IC EPROM 1M PARALLEL 44PLCC

  • Produttore: Microchip Technology
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EPROM
  • Tecnologia: EPROM - OTP
  • Dimensione della memoria: 1Mb (64K x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 45ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 44-LCC (J-Lead)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 44-PLCC (16.6x16.6)
Disponibile1.709
DS2502+
DS2502+

Maxim Integrated

Memoria

IC EPROM 1K 1WIRE TO92-3

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EPROM
  • Tecnologia: EPROM - OTP
  • Dimensione della memoria: 1Kb (128 x 8)
  • Interfaccia di memoria: 1-Wire®
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.8V ~ 6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3
Disponibile4
24AA32AT-I/SN
24AA32AT-I/SN

Microchip Technology

Memoria

IC EEPROM 32K I2C 400KHZ 8SOIC

  • Produttore: Microchip Technology
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8)
  • Interfaccia di memoria: I²C
  • Frequenza di clock: 400kHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: 900ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.8V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC
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CY7C1470BV33-167AXI
CY7C1470BV33-167AXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: NoBL™
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 72Mb (2M x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 3.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)
Disponibile2.059
CY7C1472V25-200AXC
CY7C1472V25-200AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: NoBL™
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 3ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)
Disponibile187
AT28C010-12TU
AT28C010-12TU

Microchip Technology

Memoria

IC EEPROM 1M PARALLEL 32TSOP

  • Produttore: Microchip Technology
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ms
  • Tempo di accesso: 120ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP
Disponibile3.722
IS43TR16512AL-125KBLI
IS43TR16512AL-125KBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR3L
  • Dimensione della memoria: 8Gb (512M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 800MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 20ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 96-LFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 96-LFBGA (10x14)
Disponibile1.405
MR4A16BYS35
MR4A16BYS35

Everspin Technologies Inc.

Memoria

IC RAM 16M PARALLEL 54TSOP2

  • Produttore: Everspin Technologies Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: RAM
  • Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM)
  • Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 35ns
  • Tempo di accesso: 35ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP2
Disponibile3.902
AS6C6416-55TIN
AS6C6416-55TIN

Alliance Memory, Inc.

Memoria

IC SRAM 64M PARALLEL 48TSOP I

  • Produttore: Alliance Memory, Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
  • Tempo di accesso: 55ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I
Disponibile1.271
MR25H40MDF
MR25H40MDF

Everspin Technologies Inc.

Memoria

IC RAM 4M SPI 40MHZ 8DFN

  • Produttore: Everspin Technologies Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: RAM
  • Tecnologia: MRAM (Magnetoresistive RAM)
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 40MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-VDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN-EP, Small Flag (5x6)
Disponibile1.496
7005L20PFGI
7005L20PFGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 64K PARALLEL 64TQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 20ns
  • Tempo di accesso: 20ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-TQFP (14x14)
Disponibile2.785
IS61WV204816BLL-10BLI
IS61WV204816BLL-10BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 32M PARALLEL 48TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 32Mb (2M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.4V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TFBGA (6x8)
Disponibile3.147
AS7C316098A-10TIN
AS7C316098A-10TIN

Alliance Memory, Inc.

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I

  • Produttore: Alliance Memory, Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I
Disponibile2.064
MT28FW02GBBA1HPC-0AAT
MT28FW02GBBA1HPC-0AAT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 2G PARALLEL 64LBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 105ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-LBGA (11x13)
Disponibile20.321
S70GL02GS11FHI010
S70GL02GS11FHI010

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 2G PARALLEL 64FBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: GL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 110ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (13x11)
Disponibile1.840
FM28V100-TGTR
FM28V100-TGTR

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FRAM 1M PARALLEL 32TSOP I

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: F-RAM™
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FRAM
  • Tecnologia: FRAM (Ferroelectric RAM)
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 90ns
  • Tempo di accesso: 90ns
  • Tensione - Alimentazione: 2V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP I
Disponibile2.969
CY62167EV30LL-45ZXI
CY62167EV30LL-45ZXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: MoBL®
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8, 1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
  • Tempo di accesso: 45ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TSOP I
Disponibile4.173
CY7C1051DV33-10ZSXI
CY7C1051DV33-10ZSXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II
Disponibile9.208
S70FL01GSAGMFI011
S70FL01GSAGMFI011

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 1G SPI 133MHZ 16SOIC

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: FL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 16-SOIC
Disponibile1.243