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AT28C010-12EM/883
AT28C010-12EM/883

Microchip Technology

Memoria

IC EEPROM 1M PARALLEL 32LCC

  • Produttore: Microchip Technology
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ms
  • Tempo di accesso: 120ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 125°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 32-CLCC
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-LCC (11.43x13.97)
Disponibile308
AT28HC256-90LM/883
AT28HC256-90LM/883

Microchip Technology

Memoria

IC EEPROM 256K PARALLEL 32LCC

  • Produttore: Microchip Technology
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ms
  • Tempo di accesso: 90ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 125°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 32-CLCC
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-LCC (11.43x13.97)
Disponibile13
THGBMJG9C8LBAU8
THGBMJG9C8LBAU8

Toshiba Memory America, Inc.

Memoria

512GBIT V5.1 I TEMP EMMC

  • Produttore: Toshiba Memory America, Inc.
  • Serie: e•MMC™
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NAND
  • Dimensione della memoria: 512Gb (64G x 8)
  • Interfaccia di memoria: eMMC
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: -
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 153-WFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 153-FBGA (11.5x13)
Disponibile274
CY7C1372KV33-167AXI
CY7C1372KV33-167AXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: NoBL™
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 18Mb (1M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 3.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)
Disponibile5.570
AS4C1G8D3LA-10BCN
AS4C1G8D3LA-10BCN

Alliance Memory, Inc.

Memoria

DDR3 1G X 8 78-BALL FBGA

  • Produttore: Alliance Memory, Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR3L
  • Dimensione della memoria: 8Gb (1G x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 933MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 20ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)
Disponibile5.213
RMLV1616AGBG-5S2#AC0
RMLV1616AGBG-5S2#AC0

Renesas Electronics America

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 48FBGA

  • Produttore: Renesas Electronics America
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM
  • Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 55ns
  • Tempo di accesso: 55ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 48-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 48-TFBGA (7.5x8.5)
Disponibile1.243
MT28EW128ABA1LPC-0SIT
MT28EW128ABA1LPC-0SIT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 128M PARALLEL 64LBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (16M x 8, 8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
  • Tempo di accesso: 95ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 64-LBGA (11x13)
Disponibile6.319
S25FL128SAGNFI010
S25FL128SAGNFI010

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: FL-S
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: FLASH
  • Tecnologia: FLASH - NOR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (16M x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI - Quad I/O
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-WDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WSON (6x8)
Disponibile2
CY7C1663KV18-550BZXC
CY7C1663KV18-550BZXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 144M PARALLEL 165FBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR II+
  • Dimensione della memoria: 144Mb (8M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 550MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)
Disponibile8.006
CY7C1670KV18-450BZXC
CY7C1670KV18-450BZXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 144M PARALLEL 165FBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, DDR II+
  • Dimensione della memoria: 144Mb (4M x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 450MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)
Disponibile338
CY7C25632KV18-400BZXI
CY7C25632KV18-400BZXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR II+
  • Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (13x15)
Disponibile16.346
CY7C1612KV18-250BZXI
CY7C1612KV18-250BZXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 144M PARALLEL 165FBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR II
  • Dimensione della memoria: 144Mb (8M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 250MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)
Disponibile1.219
CY7C1470V25-200BZI
CY7C1470V25-200BZI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: NoBL™
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 72Mb (2M x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 3ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)
Disponibile132
CY7C1470BV25-167BZXI
CY7C1470BV25-167BZXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: NoBL™
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 72Mb (2M x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 3.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)
Disponibile870
CY7C1480BV33-167AXI
CY7C1480BV33-167AXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 72Mb (2M x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 3.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)
Disponibile665
CY7C1472BV33-167AXI
CY7C1472BV33-167AXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: NoBL™
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 72Mb (4M x 18)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 3.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)
Disponibile262
CY7C1470BV33-200AXC
CY7C1470BV33-200AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: NoBL™
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 72Mb (2M x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 3ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)
Disponibile564
CY7C1470BV25-250AXC
CY7C1470BV25-250AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: NoBL™
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 72Mb (2M x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 250MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 3ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.375V ~ 2.625V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)
Disponibile341
DS1250ABP-100+
DS1250ABP-100+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
  • Tempo di accesso: 100ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 34-PowerCap™ Module
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 34-PowerCap Module
Disponibile261
CY14B108K-ZS25XI
CY14B108K-ZS25XI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC NVSRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns
  • Tempo di accesso: 25ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II
Disponibile169
DS1249AB-70#
DS1249AB-70#

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-EDIP
Disponibile27
CY7C2644KV18-300BZXI
CY7C2644KV18-300BZXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 144M PARALLEL 165FBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, QDR II+
  • Dimensione della memoria: 144Mb (4M x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 300MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)
Disponibile353
CY7C1470BV33-167BZI
CY7C1470BV33-167BZI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: NoBL™
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 72Mb (2M x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 3.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 165-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 165-FBGA (15x17)
Disponibile3.075
CY7C1470BV33-167AXC
CY7C1470BV33-167AXC

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: NoBL™
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 72Mb (2M x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 3.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)
Disponibile226
CY7C1370KV33-167AXI
CY7C1370KV33-167AXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: NoBL™
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
  • Dimensione della memoria: 18Mb (512K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 3.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)
Disponibile6.910
DS1245AB-120+
DS1245AB-120+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 120ns
  • Tempo di accesso: 120ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-EDIP
Disponibile9
71256L45DB
71256L45DB

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 256K PARALLEL 28CERDIP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
  • Tempo di accesso: 45ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 125°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-CerDip
Disponibile616
CY7C1051DV33-12ZSXI
CY7C1051DV33-12ZSXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 8Mb (512K x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II
Disponibile2.656
DS1225AD-200IND+
DS1225AD-200IND+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • Produttore: Maxim Integrated
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 200ns
  • Tempo di accesso: 200ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 28-EDIP
Disponibile527
CY62168EV30LL-45BVXI
CY62168EV30LL-45BVXI

Cypress Semiconductor

Memoria

IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

  • Produttore: Cypress Semiconductor Corp
  • Serie: MoBL®
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8, 1M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 45ns
  • Tempo di accesso: 45ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.2V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 48-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 48-VFBGA (6x8)
Disponibile4.050