Taiwan Semiconductor Corporation Transistor - FET, MOSFET - Singolo

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CategoriaSemiconduttori / Transistor / Transistor - FET, MOSFET - Singolo

ProduttoreTaiwan Semiconductor Corporation

Record 301

Pagina 11/11

Immagine	Numero parte	Produttore	Descrizione	Disponibile	Quantità	Serie	Tipo FET	Tecnologia	Tensione Drain to Source (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzione FET	Dissipazione di potenza (max)	Temperatura di esercizio	Tipo di montaggio	Pacchetto dispositivo fornitore	Pacchetto / Custodia
	TSM680P06CZ C0G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET P-CHANNEL	4.734		-	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	18A (Tc)	4.5V, 10V	68mOhm @ 6A, 10V	2.2V @ 250µA	16.4nC @ 10V	±20V	870pF @ 30V	-	42W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220	TO-220-3

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