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Transistor

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SI4818DY-T1-GE3
SI4818DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: LITTLE FOOT®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.3A, 7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.3A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1W, 1.25W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO
Disponibile2.142
SI4830ADY-T1-E3
SI4830ADY-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: LITTLE FOOT®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO
Disponibile3.276
SI4830ADY-T1-GE3
SI4830ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: LITTLE FOOT®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO
Disponibile8.046
SI4830CDY-T1-E3
SI4830CDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: LITTLE FOOT®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 15V
  • Potenza - Max: 2.9W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO
Disponibile5.292
SI4830CDY-T1-GE3
SI4830CDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: LITTLE FOOT®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 15V
  • Potenza - Max: 2.9W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO
Disponibile6.462
SI4834BDY-T1-E3
SI4834BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO
Disponibile5.274
SI4834BDY-T1-GE3
SI4834BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO
Disponibile4.842
SI4834CDY-T1-E3
SI4834CDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Standard
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 15V
  • Potenza - Max: 2.9W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO
Disponibile6.372
SI4834CDY-T1-GE3
SI4834CDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Standard
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 15V
  • Potenza - Max: 2.9W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO
Disponibile4.050
SI4900DY-T1-E3
SI4900DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.3A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
  • Potenza - Max: 3.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO
Disponibile99.846
SI4900DY-T1-GE3
SI4900DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.3A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
  • Potenza - Max: 3.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO
Disponibile21.174
SI4904DY-T1-E3
SI4904DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Standard
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 20V
  • Potenza - Max: 3.25W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO
Disponibile45.174
SI4904DY-T1-GE3
SI4904DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Standard
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 20V
  • Potenza - Max: 3.25W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO
Disponibile52.494
SI4906DY-T1-E3
SI4906DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Standard
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 625pF @ 20V
  • Potenza - Max: 3.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO
Disponibile7.056
SI4906DY-T1-GE3
SI4906DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Standard
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 625pF @ 20V
  • Potenza - Max: 3.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO
Disponibile8.586
SI4908DY-T1-E3
SI4908DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Standard
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 20V
  • Potenza - Max: 2.75W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO
Disponibile6.660
SI4908DY-T1-GE3
SI4908DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Standard
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 20V
  • Potenza - Max: 2.75W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO
Disponibile8.928
SI4909DY-T1-GE3
SI4909DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 20V
  • Potenza - Max: 3.2W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO
Disponibile5.436
SI4910DY-T1-E3
SI4910DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Standard
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V
  • Potenza - Max: 3.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO
Disponibile4.536
SI4910DY-T1-GE3
SI4910DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Standard
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V
  • Potenza - Max: 3.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO
Disponibile6.282
SI4913DY-T1-E3
SI4913DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.1A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9.4A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 500µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO
Disponibile3.436
SI4913DY-T1-GE3
SI4913DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.1A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9.4A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 500µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO
Disponibile7.038
SI4914BDY-T1-E3
SI4914BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: LITTLE FOOT®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Funzione FET: Standard
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.4A, 8A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 2.7W, 3.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO
Disponibile3.042
SI4914BDY-T1-GE3
SI4914BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: LITTLE FOOT®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Funzione FET: Standard
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.4A, 8A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 2.7W, 3.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO
Disponibile4.410
SI4914DY-T1-E3
SI4914DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOIC

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: LITTLE FOOT®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.5A, 5.7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 1.1W, 1.16W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO
Disponibile3.600
SI4916DY-T1-E3
SI4916DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: LITTLE FOOT®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A, 10.5A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 3.3W, 3.5W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO
Disponibile4.590
SI4916DY-T1-GE3
SI4916DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: LITTLE FOOT®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A, 10.5A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 3.3W, 3.5W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO
Disponibile5.922
SI4920DY-T1-E3
SI4920DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.9A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 2W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO
Disponibile3.816
SI4920DY-T1-GE3
SI4920DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Logic Level Gate
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.9A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 5V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Potenza - Max: 2W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO
Disponibile6.300
SI4922BDY-T1-E3
SI4922BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistor - FET, MOSFET - Array

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

  • Produttore: Vishay Siliconix
  • Serie: TrenchFET®
  • Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
  • Funzione FET: Standard
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2070pF @ 15V
  • Potenza - Max: 3.1W
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO
Disponibile59.994