Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
SI4388DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.7A, 11.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 946pF @ 15V Potenza - Max: 3.3W, 3.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile8.226
SI4388DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.7A, 11.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 946pF @ 15V Potenza - Max: 3.3W, 3.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile5.760
SI4500BDY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N and P-Channel, Common Drain Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.6A, 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile4.194
SI4500BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N and P-Channel, Common Drain Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.6A, 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile3.510
SI4501ADY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N and P-Channel, Common Drain Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V, 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.3A, 4.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile4.950
SI4501ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N and P-Channel, Common Drain Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V, 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.3A, 4.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile5.760
SI4501BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N and P-Channel, Common Drain Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V, 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A, 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 15V Potenza - Max: 4.5W, 3.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile3.960
SI4505DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V, 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A, 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile3.454
SI4505DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V, 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A, 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile8.496
SI4511DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.2A, 4.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile5.436
SI4511DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.2A, 4.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile5.994
SI4532ADY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.7A, 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.13W, 1.2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile8.586
SI4532ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.7A, 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.13W, 1.2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile3.366
SI4532CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A, 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V Potenza - Max: 2.78W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile2.898
SI4532DY ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-SO Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.9A, 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 10V Potenza - Max: 900mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile19.758
SI4539ADY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.4A, 3.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile8.604
SI4539ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.4A, 3.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile34.649
SI4542DY ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 15V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile45.438
SI4542DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile4.608
SI4542DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile7.020
SI4544DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N and P-Channel, Common Drain Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 2.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile8.964
SI4544DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N and P-Channel, Common Drain Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 2.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile6.264
SI4554DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 20V Potenza - Max: 3.1W, 3.2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile2.862
SI4559ADY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.3A, 3.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V Potenza - Max: 3.1W, 3.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile268.674
SI4559ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.3A, 3.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V Potenza - Max: 3.1W, 3.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile623.220
SI4561DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.8A, 7.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 20V Potenza - Max: 3W, 3.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile8.460
SI4561DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.8A, 7.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 20V Potenza - Max: 3W, 3.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile4.194
SI4562DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile4.662
SI4562DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile8.460
SI4563DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 20V Potenza - Max: 3.25W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile3.438

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