Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
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Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
NTHD4401PT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Potenza - Max: 1.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: ChipFET™	Disponibile8.982
NTHD4502NT1 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 15V Potenza - Max: 640mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: ChipFET™	Disponibile6.804
NTHD4502NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 15V Potenza - Max: 640mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: ChipFET™	Disponibile42.690
NTHD4508NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V Potenza - Max: 1.13W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: ChipFET™	Disponibile95.334
NTHD5902T1 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: ChipFET™	Disponibile8.352
NTHD5903T1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFET Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: ChipFET™	Disponibile5.634
NTHD5904T1 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: ChipFET™	Disponibile6.516
NTHD5905T1 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 8V 3A CHIPFET Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: ChipFET™	Disponibile2.610
NTJD1155LT1 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 400mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88/SC70-6/SOT-363	Disponibile5.994
NTJD1155LT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 400mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88/SC70-6/SOT-363	Disponibile357.084
NTJD1155LT2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH SC-88-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.834
NTJD2152PT1 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 775mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 570mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 8V Potenza - Max: 270mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88/SC70-6/SOT-363	Disponibile3.690
NTJD2152PT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 775mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 570mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 8V Potenza - Max: 270mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88/SC70-6/SOT-363	Disponibile5.868
NTJD2152PT2 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 775mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 570mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 8V Potenza - Max: 270mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88/SC70-6/SOT-363	Disponibile8.334
NTJD2152PT2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 775mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 570mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 8V Potenza - Max: 270mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88/SC70-6/SOT-363	Disponibile7.668
NTJD2152PT4 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 775mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 570mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 8V Potenza - Max: 270mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88/SC70-6/SOT-363	Disponibile2.196
NTJD2152PT4G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 775mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 570mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 8V Potenza - Max: 270mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88/SC70-6/SOT-363	Disponibile6.228
NTJD3158CT2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V SC88-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 630mA, 820mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V Potenza - Max: 270mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88/SC70-6/SOT-363	Disponibile5.832
NTJD4001NT1 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 250mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V Potenza - Max: 272mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88/SC70-6/SOT-363	Disponibile5.598
NTJD4001NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 250mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V Potenza - Max: 272mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88/SC70-6/SOT-363	Disponibile1.699.314
NTJD4001NT2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 250mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V Potenza - Max: 272mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88/SC70-6/SOT-363	Disponibile3.114
NTJD4105CT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V, 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 630mA, 775mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V Potenza - Max: 270mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88/SC70-6/SOT-363	Disponibile57.318
NTJD4105CT2 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V, 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 630mA, 775mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V Potenza - Max: 270mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88/SC70-6/SOT-363	Disponibile8.352
NTJD4105CT2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V, 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 630mA, 775mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V Potenza - Max: 270mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88/SC70-6/SOT-363	Disponibile21.918
NTJD4105CT4 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V, 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 630mA, 775mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V Potenza - Max: 270mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88/SC70-6/SOT-363	Disponibile2.340
NTJD4105CT4G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V, 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 630mA, 775mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V Potenza - Max: 270mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88/SC70-6/SOT-363	Disponibile4.698
NTJD4152PT1 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 880mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V Potenza - Max: 272mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88/SC70-6/SOT-363	Disponibile3.276
NTJD4152PT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 880mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V Potenza - Max: 272mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88/SC70-6/SOT-363	Disponibile945.816
NTJD4152PT2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88-6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 880mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V Potenza - Max: 272mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88/SC70-6/SOT-363	Disponibile28.314
NTJD4158CT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V/20V SOT-363 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V, 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 250mA, 880mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V Potenza - Max: 270mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88/SC70-6/SOT-363	Disponibile1.850.268

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