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NTJD4158CT1G

NTJD4158CT1G

Solo per riferimento

Numero parte NTJD4158CT1G
PNEDA Part # NTJD4158CT1G
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V/20V SOT-363
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 1.850.268
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NTJD4158CT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTJD4158CT1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NTJD4158CT1G, NTJD4158CT1G Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 142,1 KB)
PDFNTJD4158CT2G Datasheet Copertura
NTJD4158CT2G Datasheet Pagina 2 NTJD4158CT2G Datasheet Pagina 3 NTJD4158CT2G Datasheet Pagina 4 NTJD4158CT2G Datasheet Pagina 5 NTJD4158CT2G Datasheet Pagina 6 NTJD4158CT2G Datasheet Pagina 7 NTJD4158CT2G Datasheet Pagina 8

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NTJD4158CT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V, 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C250mA, 880mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.5nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds33pF @ 5V
Potenza - Max270mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-88/SC70-6/SOT-363

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

690pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

CSD87503Q3ET

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Produttore

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Source

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1020pF @ 15V

Potenza - Max

15.6W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-VSON (3.3x3.3)

SI1029X-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

305mA, 190mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.75nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 25V

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-89-6

SQS944ENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 1.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

615pF @ 25V

Potenza - Max

27.8W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount, Wettable Flank

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.05V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

143pF @ 10V

Potenza - Max

920mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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