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Transistor

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Descrizione
Disponibile
Quantità
NSBC115TPDP6T5G
NSBC115TPDP6T5G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 100kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 339mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-963
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-963
Disponibile7.542
NSBC123EDXV6T1
NSBC123EDXV6T1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 2.2kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile7.542
NSBC123EDXV6T1G
NSBC123EDXV6T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 2.2kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile6.660
NSBC123EPDXV6T1
NSBC123EPDXV6T1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 2.2kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile4.644
NSBC123EPDXV6T1G
NSBC123EPDXV6T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 2.2kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile2.502
NSBC123JDP6T5G
NSBC123JDP6T5G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 339mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-963
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-963
Disponibile6.156
NSBC123JDXV6T1
NSBC123JDXV6T1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile8.010
NSBC123JDXV6T1G
NSBC123JDXV6T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile8.460
NSBC123JDXV6T5
NSBC123JDXV6T5

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile6.012
NSBC123JDXV6T5G
NSBC123JDXV6T5G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile7.002
NSBC123JPDP6T5G
NSBC123JPDP6T5G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 339mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-963
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-963
Disponibile5.976
NSBC123JPDXV6T1
NSBC123JPDXV6T1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile5.994
NSBC123JPDXV6T1G
NSBC123JPDXV6T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile164.292
NSBC123JPDXV6T5G
NSBC123JPDXV6T5G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile5.040
NSBC123TDP6T5G
NSBC123TDP6T5G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 339mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-963
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-963
Disponibile5.688
NSBC123TPDP6T5G
NSBC123TPDP6T5G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 339mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-963
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-963
Disponibile7.470
NSBC124EDP6T5G
NSBC124EDP6T5G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 339mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-963
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-963
Disponibile2.952
NSBC124EDXV6T1
NSBC124EDXV6T1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile2.124
NSBC124EDXV6T1G
NSBC124EDXV6T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile31.914
NSBC124EDXV6T5G
NSBC124EDXV6T5G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile3.312
NSBC124EPDP6T5G
NSBC124EPDP6T5G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 250mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-963
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-963
Disponibile4.122
NSBC124EPDXV6T1
NSBC124EPDXV6T1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile3.276
NSBC124EPDXV6T1G
NSBC124EPDXV6T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile6.210
NSBC124EPDXV6T5G
NSBC124EPDXV6T5G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile7.542
NSBC124XDXV6T1
NSBC124XDXV6T1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile8.550
NSBC124XDXV6T1G
NSBC124XDXV6T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile34.338
NSBC124XPDXV6T1G
NSBC124XPDXV6T1G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile2.268
NSBC124XPDXV6T5G
NSBC124XPDXV6T5G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile5.886
NSBC143EDP6T5G
NSBC143EDP6T5G

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 339mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-963
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-963
Disponibile4.824
NSBC143EDXV6T1
NSBC143EDXV6T1

ON Semiconductor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • Produttore: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563
Disponibile3.510