NSBC123JDP6T5G
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| Numero parte | NSBC123JDP6T5G |
| PNEDA Part # | NSBC123JDP6T5G |
| Descrizione | TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.156 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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NSBC123JDP6T5G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NSBC123JDP6T5G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati |
| Datasheet |
NSBC123JDP6T5G, NSBC123JDP6T5G Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 130,85 KB)
  
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NSBC123JDP6T5G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Resistenza - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | 47kOhms |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 500nA |
| Frequenza - Transizione | - |
| Potenza - Max | 339mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-963 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-963 |
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