Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
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Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
BCR 135T E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SC-75	Disponibile8.028
BCR135WE6327BTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3	Disponibile8.658
BCR135WH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3	Disponibile5.220
BCR 139F E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSFP-3	Disponibile3.924
BCR 139L3 E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSLP-3-4	Disponibile7.398
BCR 139T E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SC-75	Disponibile3.006
BCR141E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.25W SOT23-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 130MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile4.608
BCR141E6433HTMA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT23-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 130MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile8.910
BCR 141F E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 130MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSFP-3	Disponibile8.154
BCR 141L3 E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 130MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSLP-3-4	Disponibile4.212
BCR 141T E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 130MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SC-75	Disponibile2.646
BCR141WE6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 130MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3	Disponibile6.642
BCR141WH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 130MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3	Disponibile2.988
BCR142B6327HTLA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile5.760
BCR142E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile139.896
BCR 142F E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSFP-3	Disponibile2.286
BCR 142L3 E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSLP-3-4	Disponibile3.798
BCR 142T E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SC-75	Disponibile3.672
BCR142WE6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3	Disponibile5.652
BCR142WH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3	Disponibile8.586
BCR146E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile4.914
BCR 146F E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSFP-3	Disponibile7.110
BCR 146L3 E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSLP-3-4	Disponibile5.670
BCR 146T E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SC-75	Disponibile6.138
BCR 148 B6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 100MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile3.420
BCR148E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 100MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile631.032
BCR148E6393HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP SOT23 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 100MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile3.726
BCR148E6433HTMA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 100MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile3.600
BCR 148F B6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 100MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSFP-3	Disponibile3.816
BCR 148F E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 100MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSFP-3	Disponibile7.596

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