Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
BCR116WH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3	Disponibile4.536
BCR119E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile4.518
BCR 119 E6433 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile5.022
BCR 119F E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSFP-3	Disponibile5.886
BCR 119L3 E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSLP-3-4	Disponibile8.388
BCR 119T E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SC-75	Disponibile3.508
BCR119WE6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3	Disponibile5.634
BCR119WH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3	Disponibile8.406
BCR129E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile8.028
BCR 129F E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSFP-3	Disponibile7.182
BCR 129L3 E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSLP-3-4	Disponibile2.178
BCR 129T E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SC-75	Disponibile5.940
BCR129WE6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3	Disponibile5.400
BCR129WH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3	Disponibile6.102
BCR 133 B6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 130MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile2.070
BCR133E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 130MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile684.486
BCR133E6393HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN SOT23 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 130MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile6.174
BCR133E6433HTMA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 130MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile7.236
BCR 133F B6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 130MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSFP-3	Disponibile3.618
BCR 133F E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 130MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSFP-3	Disponibile8.010
BCR 133L3 E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 130MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSLP-3-4	Disponibile2.772
BCR 133T E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 130MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SC-75	Disponibile8.784
BCR133WE6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 130MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3	Disponibile6.624
BCR133WH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 130MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOT323-3	Disponibile5.130
BCR 135 B6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile2.106
BCR135E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile1.160.874
BCR135E6359HTMA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS PNP SOT23 Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile2.412
BCR135E6433HTMA1 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 200mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3	Disponibile8.370
BCR 135F E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSFP-3	Disponibile4.554
BCR 135L3 E6327 Infineon Technologies	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 150MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TSLP-3-4	Disponibile2.808

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