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Numero parte	Descrizione	Disponibile
VS-GT100LA120UX Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 134A 463W SOT-227 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: Trench Configurazione: Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 134A Potenza - Max: 463W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 100A Corrente - Taglio collettore (Max): 100µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: - Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile2.304
VS-GT100NA120UX Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 134A 463W SOT-227 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: Trench Configurazione: Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 134A Potenza - Max: 463W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 100A Corrente - Taglio collettore (Max): 100µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: - Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile5.562
VS-GT100TP120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: Trench Configurazione: Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 180A Potenza - Max: 652W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 100A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 12.8nF @ 30V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: INT-A-PAK (3 + 4) Pacchetto dispositivo fornitore: INT-A-PAK	Disponibile5.220
VS-GT100TP60N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: Trench Configurazione: Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 160A Potenza - Max: 417W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 7.71nF @ 30V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: INT-A-PAK (3 + 4) Pacchetto dispositivo fornitore: INT-A-PAK	Disponibile2.628
VS-GT105LA120UX Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: NPT Configurazione: Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 134A Potenza - Max: 463W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): 75µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: - Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile2.610
VS-GT105NA120UX Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: Trench Configurazione: Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 134A Potenza - Max: 463W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): 75µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: - Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile7.020
VS-GT120DA65U Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli OUTPUT & SW MODULES - SOT-227 IG Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: FRED Pt® Tipo IGBT: Trench Configurazione: Single Switch Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 167A Potenza - Max: 577W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A Corrente - Taglio collettore (Max): 50µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 6.6nF @ 30V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile3.400
VS-GT140DA60U Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 600V 200A 652W SOT-227 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: Trench Configurazione: Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 200A Potenza - Max: 652W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A Corrente - Taglio collettore (Max): 100µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: - Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile2.034
VS-GT175DA120U Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: Trench Configurazione: Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 288A Potenza - Max: 1087W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A Corrente - Taglio collettore (Max): 100µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: - Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile2.178
VS-GT180DA120U Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V SOT-227 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: HEXFRED® Tipo IGBT: Trench Field Stop Configurazione: Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 281A Potenza - Max: 1087W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 100A Corrente - Taglio collettore (Max): 100µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 9350pF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile7.866
VS-GT200TP065N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: Trench Configurazione: Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 221A Potenza - Max: 600W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.12V @ 15V, 200A Corrente - Taglio collettore (Max): 60µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: - Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: INT-A-Pak Pacchetto dispositivo fornitore: INT-A-PAK	Disponibile3.708
VS-GT300FD060N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 600V 379A 1250W DIAP Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Configurazione: Three Level Inverter Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 379A Potenza - Max: 1250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 300A Corrente - Taglio collettore (Max): 250µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 23.3nF @ 30V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Dual INT-A-PAK (4 + 8) Pacchetto dispositivo fornitore: Dual INT-A-PAK	Disponibile4.302
VS-GT300YH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 341A 1042W DIAP Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: Trench Configurazione: Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 341A Potenza - Max: 1042W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.17V @ 15V, 300A (Typ) Corrente - Taglio collettore (Max): 300µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 36nF @ 30V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Double INT-A-PAK (3 + 8) Pacchetto dispositivo fornitore: Double INT-A-PAK	Disponibile7.650
VS-GT400TH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 600A 2119W DIAP Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: Trench Configurazione: Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600A Potenza - Max: 2119W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 28.8nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Double INT-A-PAK (3 + 8) Pacchetto dispositivo fornitore: Double INT-A-PAK	Disponibile5.796
VS-GT400TH120U Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 750A 2344W DIAP Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: Trench Configurazione: Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 750A Potenza - Max: 2344W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 400A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 51.2nF @ 30V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Double INT-A-PAK (3 + 8) Pacchetto dispositivo fornitore: Double INT-A-PAK	Disponibile6.930
VS-GT400TH60N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 600V 530A 1600W DIAP Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: Trench Configurazione: Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 530A Potenza - Max: 1600W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 400A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 30.8nF @ 30V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Double INT-A-PAK (3 + 8) Pacchetto dispositivo fornitore: Double INT-A-PAK	Disponibile5.022
VS-GT50TP120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 100A 405W INT-A-PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: Trench Configurazione: Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100A Potenza - Max: 405W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 50A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 6.24nF @ 30V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: INT-A-PAK (3 + 4) Pacchetto dispositivo fornitore: INT-A-PAK	Disponibile5.814
VS-GT50TP60N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: Trench Configurazione: Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 85A Potenza - Max: 208W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Corrente - Taglio collettore (Max): 1mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 3.03nF @ 30V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: INT-A-PAK (3 + 4) Pacchetto dispositivo fornitore: INT-A-PAK	Disponibile7.902
VS-GT75LP120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 150A 543W Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: - Configurazione: Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150A Potenza - Max: 543W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 75A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 5.52nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: INT-A-Pak Pacchetto dispositivo fornitore: INT-A-PAK	Disponibile5.850
VS-GT75NP120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 150A 446W INT-A-PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: - Configurazione: Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150A Potenza - Max: 446W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.08V @ 15V, 75A (Typ) Corrente - Taglio collettore (Max): 1mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 9.45nF @ 30V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: INT-A-PAK (3 + 4) Pacchetto dispositivo fornitore: INT-A-PAK	Disponibile8.154
VS-GT80DA120U Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli OUTPUT & SW MODULES - SOT-227 IG Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: HEXFRED® Tipo IGBT: Trench Configurazione: Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 139A Potenza - Max: 658W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 80A Corrente - Taglio collettore (Max): 100µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile6.204
VWI15-12P1 IXYS	Transistor - IGBT - Moduli MODULE IGBT 18A 1200V ECO-PAC2 Produttore: IXYS Serie: - Tipo IGBT: NPT Configurazione: Three Phase Inverter Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 18A Potenza - Max: 90W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A Corrente - Taglio collettore (Max): 500µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 0.6nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: Yes Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: ECO-PAC2 Pacchetto dispositivo fornitore: ECO-PAC2	Disponibile2.088
VWI20-06P1 IXYS	Transistor - IGBT - Moduli MODULE IGBT 19A 600V ECO-PAC2 Produttore: IXYS Serie: - Tipo IGBT: NPT Configurazione: Three Phase Inverter Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 19A Potenza - Max: 73W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 10A Corrente - Taglio collettore (Max): 600µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 0.6nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: Yes Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: ECO-PAC2 Pacchetto dispositivo fornitore: ECO-PAC2	Disponibile4.464
VWI35-06P1 IXYS	Transistor - IGBT - Moduli MODULE IGBT 31A 600V ECO-PAC2 Produttore: IXYS Serie: - Tipo IGBT: NPT Configurazione: Three Phase Inverter Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 31A Potenza - Max: 100W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Corrente - Taglio collettore (Max): 600µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: Yes Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: ECO-PAC2 Pacchetto dispositivo fornitore: ECO-PAC2	Disponibile8.244
VWI3X20-06P1 IXYS	Transistor - IGBT - Moduli MODULE IGBT 3X20A 600V ECO-PAC1 Produttore: IXYS Serie: - Tipo IGBT: - Configurazione: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20A Potenza - Max: - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: - Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: ECO-PAC1 Pacchetto dispositivo fornitore: ECO-PAC1	Disponibile7.830
VWI6-12P1 IXYS	Transistor - IGBT - Moduli MODULE IGBT 6PACK 1200V ECO-PAC2 Produttore: IXYS Serie: - Tipo IGBT: NPT Configurazione: Three Phase Inverter Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 6A Potenza - Max: 40W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 4.6V @ 15V, 4A Corrente - Taglio collettore (Max): 100µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 0.205nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: Yes Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: ECO-PAC2 Pacchetto dispositivo fornitore: ECO-PAC2	Disponibile6.714
63-7000PBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 650V COPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: - Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.092
92-0065 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT STD 600V 60A TO-220AB Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 60A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 31A Potenza - Max: 160W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile6.390
92-0235 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 430V 20A 125W TO220AB Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 430V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 5V, 14A Potenza - Max: 125W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Logic Gate Charge: 27nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 900ns/6µs Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile4.410
AFGB30T65SQDN ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo 650V/30A FS4 IGBT TO263 A Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 60A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Potenza - Max: 220W Switching Energy: - Tipo di ingresso: - Gate Charge: 56nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 14.5ns/63.2ns Condizione di test: 400V, 30A, 6Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 245ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D²PAK-3 (TO-263-3)	Disponibile3.492

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