VS-GT200TP065N
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| Numero parte | VS-GT200TP065N |
| PNEDA Part # | VS-GT200TP065N |
| Descrizione | IGBT |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.708 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 4 - apr 9 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-GT200TP065N Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-GT200TP065N |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
| Datasheet |
VS-GT200TP065N, VS-GT200TP065N Datasheet
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VS-GT200TP065N Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench |
| Configurazione | Half Bridge |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 221A |
| Potenza - Max | 600W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.12V @ 15V, 200A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 60µA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | - |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | No |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | INT-A-Pak |
| Pacchetto dispositivo fornitore | INT-A-PAK |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo IGBT NPT Configurazione Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 138A Potenza - Max 500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 150A Corrente - Taglio collettore (Max) 200µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce - Input Standard Termistore NTC No Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia INT-A-PAK (3 + 4) Pacchetto dispositivo fornitore INT-A-PAK |
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