Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
UPA2815T1S-E2-AT Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1760pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HWSON (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile4.176
UPA2816T1S-E2-AT Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 17A 8HWSON Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4nC @ 10V Vgs (massimo): +20V, -25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HWSON (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile7.380
UPA2820T1S-E2-AT Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 8HVSON Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2330pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 16W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile6.660
UPA2821T1L-E1-AT Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 26A 8HVSON Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2490pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HWSON (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile6.606
UPA2822T1L-E1-AT Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 34A 8HVSON Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4660pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HWSON (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile3.996
UPA2825T1S-E2-AT Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 8HVSON Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta), 16.5W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN	Disponibile5.058
US5U1TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT5 Pacchetto / Custodia: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead	Disponibile5.346
US5U29TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT5 Pacchetto / Custodia: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead	Disponibile2.412
US5U2TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT5 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 10V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT5 Pacchetto / Custodia: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead	Disponibile7.290
US5U30TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT5 Pacchetto / Custodia: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead	Disponibile4.590
US5U35TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 45V 700MA TUMT5 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 45V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 700mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 700mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT5 Pacchetto / Custodia: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead	Disponibile22.884
US5U38TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT5 Pacchetto / Custodia: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead	Disponibile8.298
US5U3TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V Vgs (massimo): 12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT5 Pacchetto / Custodia: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead	Disponibile50.214
US6U37TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT6 Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads	Disponibile7.308
VEC2415-TL-EX ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo INTEGRATED CIRCUIT Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile6.786
VM0550-2F IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 590A MODULE Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 590A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2000nC @ 10V Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2200W Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Module Pacchetto / Custodia: Module	Disponibile6.120
VMO1200-01F IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 1245A Y3-LI Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1220A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 932A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 64mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2520nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Y3-Li Pacchetto / Custodia: Y3-Li	Disponibile4.896
VMO150-01P1 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 165A ECO-PAC2 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 165A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ECO-PAC2 Pacchetto / Custodia: ECO-PAC2	Disponibile8.154
VMO1600-02P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 1900A Y3-LI Produttore: IXYS Serie: PolarHT™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1900A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 1600A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2900nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Y3-Li Pacchetto / Custodia: Y3-Li	Disponibile8.568
VMO40-05P1 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH ECO-PAC2 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ECO-PAC2 Pacchetto / Custodia: ECO-PAC2	Disponibile4.932
VMO550-01F IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 590A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6V @ 110mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2000nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2200W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Y3-DCB Pacchetto / Custodia: Y3-DCB	Disponibile6.516
VMO580-02F IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 580A MODULE Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 580A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 430A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 50mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2750nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Y3-Li Pacchetto / Custodia: Y3-Li	Disponibile5.886
VMO60-05F IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 60A TO-240AA Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 24mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 405nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 590W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-240AA Pacchetto / Custodia: TO-240AA	Disponibile2.844
VMO650-01F IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 690A MODULE Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 690A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6V @ 130mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2300nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 59000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2500W (Tc) Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Y3-DCB Pacchetto / Custodia: Y3-DCB	Disponibile8.676
VMO80-05P1 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH ECO-PAC2 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore: ECO-PAC2 Pacchetto / Custodia: ECO-PAC2	Disponibile4.842
VN0104N3-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 350mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 65pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile14.958
VN0104N3-G-P013 Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 350mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 65pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Disponibile6.948
VN0106N3-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 350mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 65pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile17.448
VN0106N3-G-P003 Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 350mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 65pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Disponibile8.928
VN0109N3-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 90V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 350mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 65pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile14.172

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