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US5U38TR

US5U38TR

Solo per riferimento

Numero parte US5U38TR
PNEDA Part # US5U38TR
Descrizione MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.298
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 2 - dic 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

US5U38TR Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteUS5U38TR
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
US5U38TR, US5U38TR Datasheet (Totale pagine: 40, Dimensioni: 9.013,96 KB)
PDFUS5U38TR Datasheet Copertura
US5U38TR Datasheet Pagina 2 US5U38TR Datasheet Pagina 3 US5U38TR Datasheet Pagina 4 US5U38TR Datasheet Pagina 5 US5U38TR Datasheet Pagina 6 US5U38TR Datasheet Pagina 7 US5U38TR Datasheet Pagina 8 US5U38TR Datasheet Pagina 9 US5U38TR Datasheet Pagina 10 US5U38TR Datasheet Pagina 11

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US5U38TR Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs390mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.1nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds150pF @ 10V
Funzione FETSchottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)1W (Ta)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTUMT5
Pacchetto / Custodia6-SMD (5 Leads), Flat Lead

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

21mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

0V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 16mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 8µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.1nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

28pF @ 25V

Funzione FET

Depletion Mode

Dissipazione di potenza (max)

500mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SI7802DN-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.24A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

435mOhm @ 1.95A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® 1212-8

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® 1212-8

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

110V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30.4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

61nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

62.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

BUK9880-55/CUF

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 5A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

8.3W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-73

Pacchetto / Custodia

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DMP2033UVT-7

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.2A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.4nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

845pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.2W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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