Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
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Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
STQ3NK50ZR-AP STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 500MA TO-92 Produttore: STMicroelectronics Serie: SuperMESH™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3 Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Disponibile4.932
STR1P2UH7 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT-23 Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ H7 Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 700mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350mW (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile6.768
STR2N2VH5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT-23 Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ V Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 367pF @ 16V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350mW (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile25.176
STR2P3LLH6 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23 Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ H6 Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 639pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350mW (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile2.502
STS10N3LH5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ V Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 5V Vgs (massimo): ±22V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile7.632
STS10P3LLH6 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ H6 Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.7W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile8.010
STS10P4LLF6 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ F6 Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3525pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.7W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile7.020
STS10PF30L STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile5.328
STS11N3LLH5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ V Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs (massimo): +22V, -20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 724pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.7W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile26.898
STS11NF30L STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 5V Vgs (massimo): ±18V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile20.928
STS12N3LLH5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ V Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs (massimo): +22V, -20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1290pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.7W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile2.862
STS12NF30L STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile3.544
STS12NH3LL STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 965pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.7W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile7.038
STS13N3LLH5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ V Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (massimo): +22V, -20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.7W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile6.678
STS14N3LLH5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ V Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±22V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.7W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile47.016
STS15N4LLF3 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 15A 8SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2530pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.7W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile6.210
STS15N4LLF5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 15A 8SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ V Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile8.244
STS17NF3LL STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±18V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2160pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile5.868
STS17NH3LL STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1810pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.7W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile6.732
STS19N3LLH6 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VI Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 19A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 15V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1690pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.7W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile3.456
STS1HNK60 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: SuperMESH™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 156pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Tc) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile7.686
STS1NK60Z STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 0.25A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: SuperMESH™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 250mA (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 94pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile23.748
STS20N3LLH6 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VI Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1690pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.7W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile5.310
STS25NH3LL STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 25A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ III Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±18V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4450pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile7.128
STS25NH3LL-E STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 25A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ III Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±18V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4450pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile8.946
STS26N3LLH6 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 26A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VI Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4040pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.7W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile5.202
STS2DPFS20V STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 315pF @ 15V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 2W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile8.316
STS30N3LLH6 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VI Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4040pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.7W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile4.968
STS3P6F6 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VI Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 48V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.7W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile4.104
STS4DNFS30 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 2W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile24.246

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