Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
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Record 64.903

Pagina 1873/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
STP7N90K5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo N-CHANNEL 800 V, 0.75 OHM TYP., Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ K5 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 810mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 110W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile6.174
STP7N95K3 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 950V 7.2A TO-220 Produttore: STMicroelectronics Serie: SuperMESH3™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 950V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1031pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile12.390
STP7NB60 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 7.2A TO-220 Produttore: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1625pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 125W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile7.974
STP7NK30Z STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 300V 5A TO-220 Produttore: STMicroelectronics Serie: SuperMESH™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 300V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile8.496
STP7NK40Z STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 400V 5.4A TO-220 Produttore: STMicroelectronics Serie: SuperMESH™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 70W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile330.834
STP7NK40ZFP STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 400V 5.4A TO-220FP Produttore: STMicroelectronics Serie: SuperMESH™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile12.714
STP7NK80Z STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220 Produttore: STMicroelectronics Serie: SuperMESH™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1138pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile12.432
STP7NK80ZFP STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220FP Produttore: STMicroelectronics Serie: SuperMESH™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1138pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 30W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile19.896
STP7NM50N STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 5A TO-220 Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 45W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile5.868
STP7NM60N STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 5A TO-220AB Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 363pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 45W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile8.568
STP7NM80 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 800V 6.5A TO-220 Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 3.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 90W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile5.400
STP80N10F7 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 Produttore: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VII Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3100pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 110W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile6.912
STP80N20M5 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 200V 61A TO-220 Produttore: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ V Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 61A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4329pF @ 50V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 190W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile3.834
STP80N6F6 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V TO-220 Produttore: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7480pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 120W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile15.024
STP80N70F4 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo POWER MOSFET N-CHANNEL TO-220 Produttore: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 68V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 85A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile7.776
STP80N70F6 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N CH 68V 96A TO-220 Produttore: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VI Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 68V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 96A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 48A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5850pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 110W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile2.358
STP80NE03L-06 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 80A TO220 Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 5V Vgs (massimo): ±22V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8700pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile3.384
STP80NE06-10 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10000pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile6.390
STP80NF03L STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 80A TO-220 Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile6.966
STP80NF03L-04 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 80A TO-220 Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile21.156
STP80NF06 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3850pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile4.662
STP80NF10 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5500pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile20.232
STP80NF10FP STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 38A TO-220FP Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 45W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile16.506
STP80NF12 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 120V 80A TO-220 Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 120V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile17.424
STP80NF55 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 80A TO220 Produttore: STMicroelectronics Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile21.624
STP80NF55-06 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile15.096
STP80NF55-06FP STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 60A TO-220FP Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 45W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FP Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack	Disponibile12.756
STP80NF55-08 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3850pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile8.298
STP80NF55-08AG STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 55V 80A TO220 Produttore: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3740pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile21.696
STP80NF55L-06 STMicroelectronics	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 Produttore: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136nC @ 5V Vgs (massimo): ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4850pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile17.580

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