Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
RV3CA01ZPT2CL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo RV3CA01ZP IS THE 0604 SIZE ULTRA Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7.5pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: VML0604 Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN	Disponibile92.520
RVQ040N05TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 45V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 5V Vgs (massimo): 21V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 600mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT6 (SC-95) Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile7.542
RW1A013ZPT2R Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 1.5A WEMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-WEMT Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666	Disponibile3.526
RW1A020ZPT2R Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-WEMT Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666	Disponibile6.030
RW1A025APT2CR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V Vgs (massimo): -8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-WEMT Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666	Disponibile3.472
RW1A030APT2CR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Vgs (massimo): -8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-WEMT Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666	Disponibile95.442
RW1C015UNT2R Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-WEMT Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666	Disponibile4.572
RW1C020UNT2R Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-WEMT Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666	Disponibile8.190
RW1C025ZPT2CR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-WEMT Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666	Disponibile6.444
RW1C026ZPT2CR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-WEMT Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666	Disponibile5.328
RW1E014SNT2R Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-WEMT Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666	Disponibile6.228
RW1E015RPT2R Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-WEMT Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666	Disponibile7.830
RW1E025RPT2CR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 6-WEMT Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666	Disponibile79.662
RXH070N03TB1 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 4V DRIVE NCH MOSFET. MOSFETS ARE Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.4W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile23.838
RXH125N03TB1 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile4.086
RXR035N03TCL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT3 Pacchetto / Custodia: SC-96	Disponibile4.410
RYC002N05T316 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350mW (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SST3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile141.660
RYE002N05TCL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: EMT3 Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416	Disponibile92.742
RYM002N05T2CL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V 0.2A VMT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: VMT3 Pacchetto / Custodia: SOT-723	Disponibile156.738
RZE002P02TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 0.2A EMT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: EMT3 Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416	Disponibile524.022
RZF013P01TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT3 Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile21.840
RZF020P01TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT3 Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile5.526
RZF030P01TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1860pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT3 Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile345.972
RZL025P01TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT6 Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads	Disponibile4.644
RZL035P01TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1940pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT6 Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads	Disponibile6.840
RZM001P02T2L Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 0.1A VMT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: VMT3 Pacchetto / Custodia: SOT-723	Disponibile664.344
RZM002P02T2L Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: VMT3 Pacchetto / Custodia: SOT-723	Disponibile405.648
RZQ045P01TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.25W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT6 (SC-95) Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile22.728
RZQ050P01TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2850pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 600mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT6 (SC-95) Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile4.230
RZR020P01TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT3 Pacchetto / Custodia: SC-96	Disponibile8.352

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