Transistor

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Pagina 1704/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
RU1E002SPTCL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 0.25A UMT3F Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 200mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: UMT3F Pacchetto / Custodia: SC-85	Disponibile22.962
RU1J002YNTCL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: UMT3F Pacchetto / Custodia: SC-85	Disponibile349.686
RU1L002SNTL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo N-CHANNEL MOSFET, 2.5V. MOSFETS Produttore: Rohm Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile3.222
RUC002N05HZGT116 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 1.2V DRIVE NCH MOSFET Produttore: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SST3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile29.466
RUC002N05T116 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V 0.2A SST3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 200mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SST3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile22.878
RUE002N02TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V .2A EMT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: EMT3 Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416	Disponibile143.856
RUE002N05TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: EMT3 Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416	Disponibile8.712
RUE003N02TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: EMT3 Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416	Disponibile76.560
RUF015N02TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT3 Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile151.056
RUF020N02TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 320mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT3 Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile95.508
RUF025N02FRATL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo NCH 20V 2.5A MIDDLE POWER MOSFET Produttore: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 370pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT3 Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile24.258
RUF025N02TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 370pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 320mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT3 Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads	Disponibile4.644
RUL035N02FRATR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo NCH 20V 3.5A POWER MOSFET Produttore: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT6 Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads	Disponibile8.820
RUL035N02TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 320mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT6 Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads	Disponibile3.636
RUM001L02T2CL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 0.1A VMT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: VMT3 Pacchetto / Custodia: SOT-723	Disponibile1.557.306
RUM002N02T2L Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 0.2A VMT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: VMT3 Pacchetto / Custodia: SOT-723	Disponibile4.644
RUM002N05T2L Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V 0.2A 3VMT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: VMT3 Pacchetto / Custodia: SOT-723	Disponibile204.588
RUM003N02T2L Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: VMT3 Pacchetto / Custodia: SOT-723	Disponibile303.792
RUQ050N02TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.25W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT6 (SC-95) Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile6.480
RUR020N02TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 540mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT3 Pacchetto / Custodia: SC-96	Disponibile26.076
RUR040N02TL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT3 Pacchetto / Custodia: SC-96	Disponibile3.060
RUS100N02TB Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile2.736
RUU002N05T106 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 200mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: UMT3 Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323	Disponibile6.318
RV1C001ZPT2L Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 0.1A VML0806 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: VML0806 Pacchetto / Custodia: 3-SMD, No Lead	Disponibile5.580
RV1C002UNT2CL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 0.15A VML0806 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: VML0806 Pacchetto / Custodia: 3-SMD, No Lead	Disponibile1.530.240
RV2C001ZPT2L Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 0.1A VML1006 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1006-3 (VML1006) Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile8.784
RV2C002UNT2L Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 0.18A VML1006 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 180mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1006-3 (VML1006) Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile76.134
RV2C010UNT2L Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 1A VML1006 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1006-3 (VML1006) Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile6.282
RV2C014BCT2CL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 700mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 400mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1006-3 Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN	Disponibile2.088
RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo NCH 20V 150MA SM SIG MOSFET, VML Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: VML0604 Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN	Disponibile6.894

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