Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
RP1L080SNTR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 8A MPT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: MPT6 Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads	Disponibile4.680
RQ1A060ZPTR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2800pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT8 Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead	Disponibile336.810
RQ1A070APTR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 4.5V Vgs (massimo): -8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7800pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 550mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT8 Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead	Disponibile3.762
RQ1A070ZPTR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7400pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT8 Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead	Disponibile28.278
RQ1C065UNTR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT8 Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead	Disponibile2.286
RQ1C075UNTR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT8 Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead	Disponibile5.796
RQ1E050RPTR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT8 Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead	Disponibile4.968
RQ1E070RPTR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 550mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT8 Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead	Disponibile6.840
RQ1E075XNTCR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo 4V DRIVE NCH MOSFET. MOSFETS ARE Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.1W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT8 Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead	Disponibile5.940
RQ1E100XNTR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 550mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSMT8 Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead	Disponibile8.514
RQ3C150BCTB Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 20W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HSMT (3.2x3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile53.622
RQ3E070BNTB Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HSMT (3.2x3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile3.708
RQ3E075ATTB Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 15W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HSMT (3.2x3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile5.400
RQ3E080BNTB Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HSMT (3.2x3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile23.670
RQ3E080GNTB Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 295pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta), 15W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HSMT (3.2x3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.718
RQ3E100ATTB Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo RQ3E100AT IS THE HIGH RELIABILIT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 31A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HSMT (3.2x3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile7.758
RQ3E100BNTB Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HSMT (3.2x3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile5.904
RQ3E100GNTB Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta), 15W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HSMT (3.2x3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile6.264
RQ3E100MNTB1 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HSMT (3.2x3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile21.606
RQ3E110AJTB Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo RQ3E110AJ IS LOW ON-RESISTANCE A Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 24A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 11A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HSMT (3.2x3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.448
RQ3E120ATTB Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3200pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HSMT (3.2x3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile59.790
RQ3E120BNTB Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HSMT (3.2x3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile5.076
RQ3E120GNTB Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta), 16W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HSMT (3.2x3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile21.960
RQ3E130BNTB Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HSMT (3.2x3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile5.040
RQ3E130MNTB1 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HSMT (3.2x3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile22.614
RQ3E150BNTB Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HSMT (3.2x3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile8.334
RQ3E150GNTB Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta), 17.2W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HSMT (3.2x3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile28.836
RQ3E150MNTB1 Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HSMT (3.2x3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile4.806
RQ3E160ADTB Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HSMT (3.2x3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile3.312
RQ3E180AJTB Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta), 30W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-HSMT (3.2x3) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile6.246

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