RQ3E100BNTB
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Numero parte | RQ3E100BNTB |
PNEDA Part # | RQ3E100BNTB |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 |
Produttore | Rohm Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 5.904 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | dic 26 - dic 31 (Scegli Spedizione rapida) |
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RQ3E100BNTB Risorse
Brand | Rohm Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | RQ3E100BNTB |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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RQ3E100BNTB Specifiche
Produttore | Rohm Semiconductor |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.4mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 15V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-HSMT (3.2x3) |
Pacchetto / Custodia | 8-PowerVDFN |
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