Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
PH1730AL,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77.9nC @ 10V Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5057pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile4.140
PH1825AL,115 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4300pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 104W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile7.578
PH1875L,115 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 45.8A LFPAK Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 45.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4nC @ 5V Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 62.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile2.394
PH1930AL,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile3.708
PH1955L,115 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 40A LFPAK Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1992pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 75W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile7.074
PH20100S,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 100V 34.3A LFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 34.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2264pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 62.5W (Tc) Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile7.146
PH2030AL,115 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V LFPAK Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile2.142
PH2230DLSX Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH TRENCH Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile5.652
PH2520U,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 4.5V Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5850pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 62.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile4.050
PH2525L,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.7nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4470pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 62.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile7.974
PH2530AL,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3468pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile2.268
PH2625L,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4308pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 62.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile4.662
PH2925U,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6150pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 62.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile4.860
PH3030AL,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8nC @ 10V Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2822pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile5.274
PH3075L,115 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 75V 30A LFPAK Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 5V Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2070pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 75W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile7.164
PH3120L,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4457pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 62.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile5.544
PH3230S,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4100pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 62.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile5.022
PH3330L,115 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4840pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 62.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile3.600
PH3430AL,115 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2458pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile4.104
PH3830L,115 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 98A LFPAK Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 98A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3190pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 62.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile7.434
PH3855L,115 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 24A LFPAK Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 5V Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 765pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile2.034
PH4025L,115 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 25V 99A LFPAK Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 99A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2601pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 46.4W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile5.112
PH4030AL,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.6nC @ 10V Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2090pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile4.680
PH4330L,115 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 95.9A LFPAK Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 95.9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2786pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 62.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile3.924
PH4530AL,115 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V LFPAK Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile7.002
PH4530L,115 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1972pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 62.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile6.120
PH4830L,115 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 84A LFPAK Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 84A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2786pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 62.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile5.724
PH4840S,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 94.5A LFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 94.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3660pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 62.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile2.106
PH5030AL,115 Nexperia	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 91A LFPAK Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 91A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1760pF @ 12V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile3.672
PH5330E,115 NXP	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK Produttore: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2010pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 62.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia: SC-100, SOT-669	Disponibile5.364

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