PH3855L,115
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| Numero parte | PH3855L,115 |
| PNEDA Part # | PH3855L-115 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 55V 24A LFPAK |
| Produttore | NXP |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.034 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 21 - apr 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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PH3855L Risorse
| Brand | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | PH3855L,115 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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PH3855L Specifiche
| Produttore | NXP USA Inc. |
| Serie | TrenchMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 55V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.7nC @ 5V |
| Vgs (massimo) | ±15V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 765pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
| Pacchetto / Custodia | SC-100, SOT-669 |
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Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Ta), 57A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1450pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore DIRECTFET™ SQ Pacchetto / Custodia DirectFET™ Isometric SQ |
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Produttore Infineon Technologies Serie SIPMOS® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 400µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 368pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT223-4 Pacchetto / Custodia TO-261-4, TO-261AA |
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