Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
NVMFS6H852NWFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 5DFN Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile4.428
NVMFS6H858NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 8DFN Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile2.124
NVMFS6H858NWFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 5DFN Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile4.734
NVMFS6H864NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo T8 80V SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.7A (Ta), 21A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 370pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.5W (Ta), 33W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile2.790
NVMFS6H864NWFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 5DFN Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile8.874
NVMFSW6D1N08HT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo T8 80V 1 PART PROLIFERATI Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), 89A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2085pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 104W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Disponibile4.140
NVMJS0D9N04CLTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo T6 40V LL LFPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 50A (Ta), 330A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8862pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-LFPAK Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Gull Wing	Disponibile8.064
NVMJS1D0N04CTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRENCH 6 40V SL NFET Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 46A (Ta), 300A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 190µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.9W (Ta), 166W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-LFPAK Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Gull Wing	Disponibile5.760
NVMJS1D2N04CLTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo T6 40V LL LFPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 41A (Ta), 237A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 128W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-LFPAK Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Gull Wing	Disponibile2.340
NVMJS1D3N04CTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRENCH 6 40V SL NFET Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 41A (Ta), 235A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 128W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-LFPAK Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Gull Wing	Disponibile7.074
NVMJS1D5N04CLTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo FET NCH 40V 185A Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38A (Ta), 200A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4300pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-LFPAK Pacchetto / Custodia: SOT-1205, 8-LFPAK56	Disponibile7.164
NVMJS1D6N06CLTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo T6 60V LL LFPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38A (Ta), 250A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6660pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-LFPAK Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Gull Wing	Disponibile6.930
NVMJS1D7N04CTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRENCH 6 40V SL NFET Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta), 185A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3300pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 106W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-LFPAK Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Gull Wing	Disponibile7.794
NVMJS2D5N06CLTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo FET NCH 60V 155A Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), 164A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.9W (Ta), 113W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-LFPAK Pacchetto / Custodia: SOT-1205, 8-LFPAK56	Disponibile4.176
NVMS10P02R2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile2.088
NVMS4816NR2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 4.5V Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile4.572
NVMS5P02R2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.95A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 16V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile3.562
NVMSD6N303R2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile6.642
NVMTS001N06CLTXG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSI Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile8.658
NVMTS001N06CTXG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo T6 60V SG PQFN8*8 EXPANSI Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 53.7A (Ta), 376A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 910mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8705pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 5W (Ta), 244W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFNW (8.3x8.4) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile6.246
NVMTS0D4N04CLTXG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo AFSM T6 40V LL NCH Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 553.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20600pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFNW (8.3x8.4) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.978
NVMTS0D4N04CTXG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo AFSM T6 40V SG NCH Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 79.8A (Ta), 558A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 16500pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFNW (8.3x8.4) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile7.488
NVMTS0D6N04CLTXG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile2.646
NVMTS0D6N04CTXG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSI Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 533A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11800pF @ 20V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFNW (8.3x8.4) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile8.460
NVMTS0D7N04CLTXG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo AFSM T6 40V LL NCH Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFNW (8.3x8.4) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile2.286
NVMTS0D7N04CTXG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo AFSM T6 40V SG NCH Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 51A (Ta), 430A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9281pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.9W (Ta), 273W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFNW (8.3x8.4) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile5.094
NVMTS0D7N06CLTXG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo AFSM T6 60V LL NCH Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFNW (8.3x8.4) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile2.592
NVMTS0D7N06CTXG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo AFSM T6 60V SG NCH Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60.5A (Ta), 464A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11535pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 5W (Ta), 294.6W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFNW (8.3x8.4) Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile4.968
NVMYS010N04CLTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo FET NCH 40V 38A Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 38A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 28W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 4-LFPAK Pacchetto / Custodia: SOT-1023, 4-LFPAK	Disponibile3.384
NVMYS011N04CTWG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo FET NCH 40V 35A Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.8W (Ta), 28W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 4-LFPAK Pacchetto / Custodia: SOT-1023, 4-LFPAK	Disponibile8.028

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