NVMFSW6D1N08HT1G
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| Numero parte | NVMFSW6D1N08HT1G |
| PNEDA Part # | NVMFSW6D1N08HT1G |
| Descrizione | T8 80V 1 PART PROLIFERATI |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.140 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 8 - apr 13 (Scegli Spedizione rapida) |
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NVMFSW6D1N08HT1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NVMFSW6D1N08HT1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
NVMFSW6D1N08HT1G, NVMFSW6D1N08HT1G Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 96,24 KB)
  
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NVMFSW6D1N08HT1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 80V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Ta), 89A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 120µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2085pF @ 40V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 104W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
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