Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
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Record 64.903

Pagina 1575/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
NDT452P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 3A SOT-223-4 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223-4 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile6.606
NDT453N ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 8A SOT-223-4 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 890pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223-4 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile6.930
NDT454P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223-4 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile30.882
NDT455N ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 11.5A SOT-223 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61nC @ 10V Vgs (massimo): 20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223-4 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile7.686
NDT456P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223-4 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile86.502
NDTL01N60ZT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 0.25A SOT223-4 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 250mA (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 (TO-261) Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile5.994
NDTL01N60ZT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 600V 0.25A SOT223-4 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 250mA (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 (TO-261) Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile4.032
NDTL03N150CG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5Ohm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 140W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P(L) Pacchetto / Custodia: TO-3PL	Disponibile6.714
NDUL03N150CG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3PF3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5Ohm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P(L) Pacchetto / Custodia: TO-3PL	Disponibile9.276
NDUL09N150CG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1500V 9A TO3PF-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114nC @ 10V Vgs (massimo): ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2025pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3W (Ta), 78W (Tc) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PF-3 Pacchetto / Custodia: TO-3P-3 Full Pack	Disponibile5.508
NIF9N05CLT1 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 52V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 35V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.69W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile3.852
NIF9N05CLT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 59V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 35V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.69W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile6.030
NIF9N05CLT3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 52V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 35V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.69W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile8.874
NIF9N05CLT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 59V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 35V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.69W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223 Pacchetto / Custodia: TO-261-4, TO-261AA	Disponibile4.878
NILMS4501NR2 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 24V 9.5A 4-LLP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 24V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 6V Funzione FET: Current Sensing Dissipazione di potenza (max): 1.4W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 4-PLLP Pacchetto / Custodia: 4-PowerDFN	Disponibile2.100
NILMS4501NR2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 24V 9.5A 4-LLP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 24V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 6V Funzione FET: Current Sensing Dissipazione di potenza (max): 1.4W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 4-PLLP Pacchetto / Custodia: 4-PowerDFN	Disponibile4.446
NMSD200B01-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Funzione FET: Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max): 200mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363 Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Disponibile26.892
NP100N04PUK-E1-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 100A TO-263 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7050pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 176W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 Pacchetto / Custodia: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	Disponibile6.876
NP100N055PUK-E1-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 100A TO-263 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 176W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.578
NP100P04PDG-E1-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 40V 100A TO-263 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 15100pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 200W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.912
NP100P04PLG-E1-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 40V 100A TO-263 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 15100pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 200W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile6.804
NP100P06PDG-E1-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 100A TO-263 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 15000pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 200W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile8.064
NP100P06PLG-E1-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 60V 100A TO-263 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 15000pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 200W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile3.456
NP109N04PUG-E1-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 110A TO-263 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 15750pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 220W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263-3 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.128
NP109N04PUJ-E2B-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANSISTOR Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile6.444
NP109N04PUK-E1-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 40V 110A TO-263 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10800pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 250W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 (D²Pak) Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile4.860
NP109N055PUJ-E1B-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 110A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10350pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 220W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile8.460
NP109N055PUJ-E2B-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo TRANSISTOR Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile2.988
NP109N055PUK-E1-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11250pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 250W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile7.542
NP110N03PUG-E1-AY Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V MP-25ZP/TO-263 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 24600pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.8W (Ta), 288W (Tc) Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263 Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Disponibile2.412

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