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NDTL03N150CG

NDTL03N150CG

Solo per riferimento

Numero parte NDTL03N150CG
PNEDA Part # NDTL03N150CG
Descrizione MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P3
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 6.714
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NDTL03N150CG Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNDTL03N150CG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
NDTL03N150CG, NDTL03N150CG Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 420,57 KB)
PDFNDTL03N150CG Datasheet Copertura
NDTL03N150CG Datasheet Pagina 2 NDTL03N150CG Datasheet Pagina 3 NDTL03N150CG Datasheet Pagina 4 NDTL03N150CG Datasheet Pagina 5

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NDTL03N150CG Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)1500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.5A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10.5Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds650pF @ 30V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta), 140W (Tc)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3P(L)
Pacchetto / CustodiaTO-3PL

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-

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Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

160A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 100A

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14400pF @ 800V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

535W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.2A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 8.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 400µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.05W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

30W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

475mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

590pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

52W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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