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Circuiti integrati di memoria

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Disponibile
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MT47H256M8THN-25E:M TR
MT47H256M8THN-25E:M TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 63-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 63-FBGA (8x10)
Disponibile7.218
MT47H256M8THN-3:H
MT47H256M8THN-3:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 333MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 450ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 63-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 63-FBGA (8x10)
Disponibile6.426
MT47H256M8THN-3:H TR
MT47H256M8THN-3:H TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 333MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 450ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 63-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 63-FBGA (8x10)
Disponibile5.688
MT47H256M8THN-3 IT:H
MT47H256M8THN-3 IT:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 333MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 450ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 63-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 63-FBGA (8x10)
Disponibile2.484
MT47H32M16BN-25:D TR
MT47H32M16BN-25:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (10x12.5)
Disponibile2.880
MT47H32M16BN-25E:D TR
MT47H32M16BN-25E:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (10x12.5)
Disponibile7.794
MT47H32M16BN-25E IT:D TR
MT47H32M16BN-25E IT:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (10x12.5)
Disponibile3.132
MT47H32M16BN-37E:D TR
MT47H32M16BN-37E:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 267MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 500ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (10x12.5)
Disponibile8.658
MT47H32M16BN-37E IT:D TR
MT47H32M16BN-37E IT:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 267MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 500ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (10x12.5)
Disponibile3.420
MT47H32M16BN-3:D TR
MT47H32M16BN-3:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 333MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 450ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (10x12.5)
Disponibile4.428
MT47H32M16BN-3 IT:D TR
MT47H32M16BN-3 IT:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 333MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 450ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (10x12.5)
Disponibile8.658
MT47H32M16BN-5E:D TR
MT47H32M16BN-5E:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 600ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (10x12.5)
Disponibile8.496
MT47H32M16BN-5E IT:D TR
MT47H32M16BN-5E IT:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 600ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (10x12.5)
Disponibile2.178
MT47H32M16BT-37E:A TR
MT47H32M16BT-37E:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 92FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 267MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 500ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 92-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 92-FBGA (11x19)
Disponibile8.100
MT47H32M16BT-3:A TR
MT47H32M16BT-3:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 92FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 333MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 450ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 92-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 92-FBGA (11x19)
Disponibile6.156
MT47H32M16CC-37E:B
MT47H32M16CC-37E:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 267MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 500ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)
Disponibile6.534
MT47H32M16CC-37E:B TR
MT47H32M16CC-37E:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 267MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 500ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)
Disponibile4.176
MT47H32M16CC-37E IT:B
MT47H32M16CC-37E IT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 267MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 500ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)
Disponibile4.428
MT47H32M16CC-37E IT:B TR
MT47H32M16CC-37E IT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 267MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 500ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)
Disponibile7.992
MT47H32M16CC-37E L:B
MT47H32M16CC-37E L:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 267MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 500ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)
Disponibile8.784
MT47H32M16CC-37E L:B TR
MT47H32M16CC-37E L:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 267MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 500ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)
Disponibile5.256
MT47H32M16CC-3:B
MT47H32M16CC-3:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 333MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 450ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)
Disponibile2.538
MT47H32M16CC-3:B TR
MT47H32M16CC-3:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 333MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 450ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)
Disponibile8.226
MT47H32M16CC-3E:B
MT47H32M16CC-3E:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 333MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 450ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)
Disponibile6.894
MT47H32M16CC-3E:B TR
MT47H32M16CC-3E:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 333MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 450ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)
Disponibile3.436
MT47H32M16CC-5E:B
MT47H32M16CC-5E:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 600ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)
Disponibile701
MT47H32M16CC-5E:B TR
MT47H32M16CC-5E:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 600ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)
Disponibile2.286
MT47H32M16CC-5E IT:B
MT47H32M16CC-5E IT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 600ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)
Disponibile5.274
MT47H32M16CC-5E IT:B TR
MT47H32M16CC-5E IT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 600ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)
Disponibile4.266
MT47H32M16CC-5E L:B
MT47H32M16CC-5E L:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 600ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)
Disponibile2.016