Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
MT47H256M8THN-25E:M TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 63-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 63-FBGA (8x10)	Disponibile7.218
MT47H256M8THN-3:H Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 63-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 63-FBGA (8x10)	Disponibile6.426
MT47H256M8THN-3:H TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 63-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 63-FBGA (8x10)	Disponibile5.688
MT47H256M8THN-3 IT:H Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 63-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 63-FBGA (8x10)	Disponibile2.484
MT47H32M16BN-25:D TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (10x12.5)	Disponibile2.880
MT47H32M16BN-25E:D TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (10x12.5)	Disponibile7.794
MT47H32M16BN-25E IT:D TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (10x12.5)	Disponibile3.132
MT47H32M16BN-37E:D TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 267MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 500ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (10x12.5)	Disponibile8.658
MT47H32M16BN-37E IT:D TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 267MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 500ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (10x12.5)	Disponibile3.420
MT47H32M16BN-3:D TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (10x12.5)	Disponibile4.428
MT47H32M16BN-3 IT:D TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (10x12.5)	Disponibile8.658
MT47H32M16BN-5E:D TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 600ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (10x12.5)	Disponibile8.496
MT47H32M16BN-5E IT:D TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 600ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (10x12.5)	Disponibile2.178
MT47H32M16BT-37E:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 92FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 267MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 500ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 92-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 92-FBGA (11x19)	Disponibile8.100
MT47H32M16BT-3:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 92FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 92-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 92-FBGA (11x19)	Disponibile6.156
MT47H32M16CC-37E:B Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 267MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 500ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)	Disponibile6.534
MT47H32M16CC-37E:B TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 267MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 500ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)	Disponibile4.176
MT47H32M16CC-37E IT:B Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 267MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 500ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)	Disponibile4.428
MT47H32M16CC-37E IT:B TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 267MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 500ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)	Disponibile7.992
MT47H32M16CC-37E L:B Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 267MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 500ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)	Disponibile8.784
MT47H32M16CC-37E L:B TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 267MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 500ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)	Disponibile5.256
MT47H32M16CC-3:B Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)	Disponibile2.538
MT47H32M16CC-3:B TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)	Disponibile8.226
MT47H32M16CC-3E:B Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)	Disponibile6.894
MT47H32M16CC-3E:B TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)	Disponibile3.436
MT47H32M16CC-5E:B Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 600ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)	Disponibile701
MT47H32M16CC-5E:B TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 600ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)	Disponibile2.286
MT47H32M16CC-5E IT:B Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 600ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)	Disponibile5.274
MT47H32M16CC-5E IT:B TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 600ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)	Disponibile4.266
MT47H32M16CC-5E L:B Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 600ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)	Disponibile2.016

MT47H256M8THN-25E:M TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 63-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 63-FBGA (8x10)

Disponibile7.218

MT47H256M8THN-3:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 63-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 63-FBGA (8x10)

Disponibile6.426

MT47H256M8THN-3:H TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 63-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 63-FBGA (8x10)

Disponibile5.688

MT47H256M8THN-3 IT:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 63-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 63-FBGA (8x10)

Disponibile2.484

MT47H32M16BN-25:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (10x12.5)

Disponibile2.880

MT47H32M16BN-25E:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (10x12.5)

Disponibile7.794

MT47H32M16BN-25E IT:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (10x12.5)

Disponibile3.132

MT47H32M16BN-37E:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 267MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 500ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (10x12.5)

Disponibile8.658

MT47H32M16BN-37E IT:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 267MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 500ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (10x12.5)

Disponibile3.420

MT47H32M16BN-3:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (10x12.5)

Disponibile4.428

MT47H32M16BN-3 IT:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (10x12.5)

Disponibile8.658

MT47H32M16BN-5E:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 600ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (10x12.5)

Disponibile8.496

MT47H32M16BN-5E IT:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 600ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (10x12.5)

Disponibile2.178

MT47H32M16BT-37E:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 92FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 267MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 500ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 92-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 92-FBGA (11x19)

Disponibile8.100

MT47H32M16BT-3:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 92FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 92-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 92-FBGA (11x19)

Disponibile6.156

MT47H32M16CC-37E:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 267MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 500ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)

Disponibile6.534

MT47H32M16CC-37E:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 267MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 500ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)

Disponibile4.176

MT47H32M16CC-37E IT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 267MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 500ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)

Disponibile4.428

MT47H32M16CC-37E IT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 267MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 500ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)

Disponibile7.992

MT47H32M16CC-37E L:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 267MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 500ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)

Disponibile8.784

MT47H32M16CC-37E L:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 267MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 500ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)

Disponibile5.256

MT47H32M16CC-3:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)

Disponibile2.538

MT47H32M16CC-3:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)

Disponibile8.226

MT47H32M16CC-3E:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)

Disponibile6.894

MT47H32M16CC-3E:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)

Disponibile3.436

MT47H32M16CC-5E:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 600ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)

Disponibile701

MT47H32M16CC-5E:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 600ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)

Disponibile2.286

MT47H32M16CC-5E IT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 600ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)

Disponibile5.274

MT47H32M16CC-5E IT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 600ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)

Disponibile4.266

MT47H32M16CC-5E L:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 600ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)

Disponibile2.016

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