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MT47H32M16BN-5E:D TR

MT47H32M16BN-5E:D TR

Solo per riferimento

Numero parte MT47H32M16BN-5E:D TR
PNEDA Part # MT47H32M16BN-5E-D-TR
Descrizione IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
Produttore Micron Technology Inc.
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Disponibile 8.496
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MT47H32M16BN-5E:D TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT47H32M16BN-5E:D TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT47H32M16BN-5E:D TR, MT47H32M16BN-5E:D TR Datasheet (Totale pagine: 122, Dimensioni: 4.944,76 KB)
PDFMT47H64M8B6-25E L:D TR Datasheet Copertura
MT47H64M8B6-25E L:D TR Datasheet Pagina 2 MT47H64M8B6-25E L:D TR Datasheet Pagina 3 MT47H64M8B6-25E L:D TR Datasheet Pagina 4 MT47H64M8B6-25E L:D TR Datasheet Pagina 5 MT47H64M8B6-25E L:D TR Datasheet Pagina 6 MT47H64M8B6-25E L:D TR Datasheet Pagina 7 MT47H64M8B6-25E L:D TR Datasheet Pagina 8 MT47H64M8B6-25E L:D TR Datasheet Pagina 9 MT47H64M8B6-25E L:D TR Datasheet Pagina 10 MT47H64M8B6-25E L:D TR Datasheet Pagina 11

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MT47H32M16BN-5E:D TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR2
Dimensione della memoria512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso600ps
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore84-FBGA (10x12.5)

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Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MT29F128G08CBEBBL85C3WC1

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

128Gb (16G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MT42L64M32D1LF-18 IT:C

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR2

Dimensione della memoria

2Gb (64M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

533MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.3V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

168-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

168-FBGA (12x12)

DS1330ABP-70

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.75V ~ 5.25V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

34-PowerCap™ Module

Pacchetto dispositivo fornitore

34-PowerCap Module

71T75802S100BG8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

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Formato memoria

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Dimensione della memoria

18Mb (1M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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