Renesas Electronics America Transistor - FET, MOSFET - Singolo

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CategoriaSemiconduttori / Transistor / Transistor - FET, MOSFET - Singolo

ProduttoreRenesas Electronics America

Record 485

Pagina 17/17

Numero parte	Produttore	Descrizione	Disponibile	Serie	Tipo FET	Tecnologia	Tensione Drain to Source (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzione FET	Dissipazione di potenza (max)	Temperatura di esercizio	Tipo di montaggio	Pacchetto dispositivo fornitore	Pacchetto / Custodia
RQHC6140-6DWA#W0	Renesas Electronics America	MOSFET N-CH	6.246	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
RQJ0305EQDQS#H1	Renesas Electronics America	MOSFET P-CH UPAK	5.472	-	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30V	3.4A (Ta)	2.5V, 4.5V	140mOhm @ 1.7A, 4.5V	1.4V @ 1mA	3nC @ 4.5V	+8V, -12V	330pF @ 10V	-	1.5W (Ta)	150°C	Surface Mount	UPAK	TO-243AA
RQK0609CQDQS#H1	Renesas Electronics America	MOSFET P-CH UPAK	8.622	-	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60V	4A (Ta)	2.5V, 4.5V	100mOhm @ 2A, 4.5V	1.4V @ 1mA	5nC @ 4.5V	±12V	470pF @ 10V	-	1.5W (Ta)	150°C	Surface Mount	UPAK	TO-243AA
RS44CA09TQKA	Renesas Electronics America	MOSFET P-CH	7.524	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
UPA1912TE(0)-T1-AT	Renesas Electronics America	MOSFET P-CH SC-95	6.912	-	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	12V	4.5A (Ta)	2.5V, 4.5V	50mOhm @ 2.5A, 4.5V	1.5V @ 1mA	5.6nC @ 4V	±10V	810pF @ 10V	-	200mW (Ta)	150°C	Surface Mount	SC-95	SC-95

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