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ZXMHC6A07T8TA

ZXMHC6A07T8TA

Solo per riferimento

Numero parte ZXMHC6A07T8TA
PNEDA Part # ZXMHC6A07T8TA
Descrizione MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 42.420
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ZXMHC6A07T8TA Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteZXMHC6A07T8TA
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
ZXMHC6A07T8TA, ZXMHC6A07T8TA Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 882,16 KB)
PDFZXMHC6A07T8TA Datasheet Copertura
ZXMHC6A07T8TA Datasheet Pagina 2 ZXMHC6A07T8TA Datasheet Pagina 3 ZXMHC6A07T8TA Datasheet Pagina 4 ZXMHC6A07T8TA Datasheet Pagina 5 ZXMHC6A07T8TA Datasheet Pagina 6 ZXMHC6A07T8TA Datasheet Pagina 7 ZXMHC6A07T8TA Datasheet Pagina 8 ZXMHC6A07T8TA Datasheet Pagina 9 ZXMHC6A07T8TA Datasheet Pagina 10

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  • ZXMHC6A07T8TA Distributor

ZXMHC6A07T8TA Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.6A, 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds166pF @ 40V
Potenza - Max1.3W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-223-8
Pacchetto dispositivo fornitoreSM8

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

4 N-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

830mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.75Ohm @ 200mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

14-DIP

SH8K4TB1

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1190pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

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Produttore

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Serie

AlphaMOS

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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