CSD85301Q2
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| Numero parte | CSD85301Q2 |
| PNEDA Part # | CSD85301Q2 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON |
| Produttore | Texas Instruments |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 106.585 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 10 - apr 15 (Scegli Spedizione rapida) |
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CSD85301Q2 Risorse
| Brand | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CSD85301Q2 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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CSD85301Q2 Specifiche
| Produttore | |
| Serie | NexFET™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.4nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 469pF @ 10V |
| Potenza - Max | 2.3W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-WDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-WSON (2x2) |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 6.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 16V Potenza - Max 940mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V, 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 630mA, 775mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 375mOhm @ 630mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 46pF @ 20V Potenza - Max 270mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 50A Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 600nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15200pF @ 25V Potenza - Max 1250W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP6 Pacchetto dispositivo fornitore SP6 |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2254pF @ 25V Potenza - Max 156W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP3 Pacchetto dispositivo fornitore SP3 |
