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STS7C4F30L

STS7C4F30L

Solo per riferimento

Numero parte STS7C4F30L
PNEDA Part # STS7C4F30L
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V 7A/4A 8SOIC
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.508
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 30 - apr 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

STS7C4F30L Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSTS7C4F30L
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
STS7C4F30L, STS7C4F30L Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 423,49 KB)
PDFSTS7C4F30L Datasheet Copertura
STS7C4F30L Datasheet Pagina 2 STS7C4F30L Datasheet Pagina 3 STS7C4F30L Datasheet Pagina 4 STS7C4F30L Datasheet Pagina 5 STS7C4F30L Datasheet Pagina 6 STS7C4F30L Datasheet Pagina 7 STS7C4F30L Datasheet Pagina 8 STS7C4F30L Datasheet Pagina 9 STS7C4F30L Datasheet Pagina 10

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STS7C4F30L Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieSTripFET™
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7A, 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1050pF @ 25V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

99mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

258pF @ 15V

Potenza - Max

510mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-UDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-HUSON-EP (2x2)

EFC6601R-A-TR

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-XFBGA, FCBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

EFCP2718-6CE-020

SSM6N35FE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

180mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 50mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9.5pF @ 3V

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

ES6 (1.6x1.6)

TSM2537CQ RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11.6A (Tc), 9A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6.4A, 4.5V, 55mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.1nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

677pF @ 10V, 744pF @ 10V

Potenza - Max

6.25W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TDFN (2x2)

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ON Semiconductor

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.7mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

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