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PMDPB95XNE2X

PMDPB95XNE2X

Solo per riferimento

Numero parte PMDPB95XNE2X
PNEDA Part # PMDPB95XNE2X
Descrizione MOSFET 2 N-CH 30V 2.7A 6HUSON
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 22.344
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 20 - dic 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PMDPB95XNE2X Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePMDPB95XNE2X
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
PMDPB95XNE2X, PMDPB95XNE2X Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 720,95 KB)
PDFPMDPB95XNE2X Datasheet Copertura
PMDPB95XNE2X Datasheet Pagina 2 PMDPB95XNE2X Datasheet Pagina 3 PMDPB95XNE2X Datasheet Pagina 4 PMDPB95XNE2X Datasheet Pagina 5 PMDPB95XNE2X Datasheet Pagina 6 PMDPB95XNE2X Datasheet Pagina 7 PMDPB95XNE2X Datasheet Pagina 8 PMDPB95XNE2X Datasheet Pagina 9 PMDPB95XNE2X Datasheet Pagina 10 PMDPB95XNE2X Datasheet Pagina 11

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PMDPB95XNE2X Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs99mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds258pF @ 15V
Potenza - Max510mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore6-HUSON-EP (2x2)

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.5mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

57.4nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2607pF @ 10V

Potenza - Max

2.14W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

W-DFN5020-6

DMN601DMK-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

510mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

304nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Potenza - Max

700mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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SI7905DN-T1-GE3

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

880pF @ 20V

Potenza - Max

20.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

700mA (Ta), 600mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Potenza - Max

300mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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