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SST26VF064BEUI-104I/MF

SST26VF064BEUI-104I/MF

Solo per riferimento

Numero parte SST26VF064BEUI-104I/MF
PNEDA Part # SST26VF064BEUI-104I-MF
Descrizione 64MB 2.3V TO 3.6V SQI FLASH MEMO
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 16.656
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 8 - apr 13 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SST26VF064BEUI-104I/MF Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSST26VF064BEUI-104I/MF
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
SST26VF064BEUI-104I/MF, SST26VF064BEUI-104I/MF Datasheet (Totale pagine: 81, Dimensioni: 2.722,55 KB)
PDFSST26VF064BEUIT-104I/MF Datasheet Copertura
SST26VF064BEUIT-104I/MF Datasheet Pagina 2 SST26VF064BEUIT-104I/MF Datasheet Pagina 3 SST26VF064BEUIT-104I/MF Datasheet Pagina 4 SST26VF064BEUIT-104I/MF Datasheet Pagina 5 SST26VF064BEUIT-104I/MF Datasheet Pagina 6 SST26VF064BEUIT-104I/MF Datasheet Pagina 7 SST26VF064BEUIT-104I/MF Datasheet Pagina 8 SST26VF064BEUIT-104I/MF Datasheet Pagina 9 SST26VF064BEUIT-104I/MF Datasheet Pagina 10 SST26VF064BEUIT-104I/MF Datasheet Pagina 11

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SST26VF064BEUI-104I/MF Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
SerieSST26 SQI®
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria64Mb (8M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI - Quad I/O
Frequenza di clock104MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina1.5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-WDFN (5x6)

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

52-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

52-PLCC (19.13x19.13)

S29AL016J70FFI020

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

AL-J

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-FBGA (13x11)

70V7599S166BC

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.6ns

Tensione - Alimentazione

3.15V ~ 3.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

256-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

256-CABGA (17x17)

AT25BCM512B-MAH-T

Adesto Technologies

Produttore

Adesto Technologies

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

70MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15µs, 5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-UFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-UDFN (2x3)

MT29C4G96MAYAPCJA-5 IT

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH, RAM

Tecnologia

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

Dimensione della memoria

4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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