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SSM6N48FU,LF

SSM6N48FU,LF

Solo per riferimento

Numero parte SSM6N48FU,LF
PNEDA Part # SSM6N48FU-LF
Descrizione X34 PB-F SOT-363 S-MOS (LF) TRAN
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
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Disponibile 7.020
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SSM6N48FU Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSSM6N48FU,LF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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SSM6N48FU Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
SerieU-MOSIII
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds15.1pF @ 3V
Potenza - Max300mW
Temperatura di esercizio150°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreUS6

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

950pF @ 10V

Potenza - Max

1.04W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 15V

Potenza - Max

1.6W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Renesas Electronics America

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.75W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Tc), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V, 41nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

925pF @ 10V, 2150pF @ 10V

Potenza - Max

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Temperatura di esercizio

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