SQ1912EH-T1_GE3
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| Numero parte | SQ1912EH-T1_GE3 |
| PNEDA Part # | SQ1912EH-T1_GE3 |
| Descrizione | MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.842 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 2 - apr 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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SQ1912EH-T1_GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SQ1912EH-T1_GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SQ1912EH-T1_GE3, SQ1912EH-T1_GE3 Datasheet
(Totale pagine: 11, Dimensioni: 239,39 KB)
  
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SQ1912EH-T1_GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 800mA (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.15nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 10V |
| Potenza - Max | 1.5W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70-6 |
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