SQ1912EH-T1_GE3 Datasheet
SQ1912EH-T1_GE3 Datasheet
Totale pagine: 11
Dimensioni: 239,39 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
SQ1912EH-T1_GE3
|
Produttore Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 800mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.15nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 75pF @ 10V Potenza - Max 1.5W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SC-70-6 |
