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SI7872DP-T1-GE3

SI7872DP-T1-GE3

Solo per riferimento

Numero parte SI7872DP-T1-GE3
PNEDA Part # SI7872DP-T1-GE3
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.748
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI7872DP-T1-GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI7872DP-T1-GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI7872DP-T1-GE3, SI7872DP-T1-GE3 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 144,17 KB)
PDFSI7872DP-T1-GE3 Datasheet Copertura
SI7872DP-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SI7872DP-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SI7872DP-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SI7872DP-T1-GE3 Datasheet Pagina 5 SI7872DP-T1-GE3 Datasheet Pagina 6 SI7872DP-T1-GE3 Datasheet Pagina 7 SI7872DP-T1-GE3 Datasheet Pagina 8 SI7872DP-T1-GE3 Datasheet Pagina 9 SI7872DP-T1-GE3 Datasheet Pagina 10

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SI7872DP-T1-GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieLITTLE FOOT®
Tipo FET2 N-Channel (Half Bridge)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.4W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaPowerPAK® SO-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK® SO-8 Dual

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.6nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

120pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

860mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.56nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 16V

Potenza - Max

1.65W

Temperatura di esercizio

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Produttore

Renesas Electronics America

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Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.92A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 16V

Potenza - Max

730mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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