Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

APTMC60TLM55CT3AG

APTMC60TLM55CT3AG

Solo per riferimento

Numero parte APTMC60TLM55CT3AG
PNEDA Part # APTMC60TLM55CT3AG
Descrizione MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.916
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTMC60TLM55CT3AG Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTMC60TLM55CT3AG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • APTMC60TLM55CT3AG Datasheet
  • where to find APTMC60TLM55CT3AG
  • Microsemi

  • Microsemi APTMC60TLM55CT3AG
  • APTMC60TLM55CT3AG PDF Datasheet
  • APTMC60TLM55CT3AG Stock

  • APTMC60TLM55CT3AG Pinout
  • Datasheet APTMC60TLM55CT3AG
  • APTMC60TLM55CT3AG Supplier

  • Microsemi Distributor
  • APTMC60TLM55CT3AG Price
  • APTMC60TLM55CT3AG Distributor

APTMC60TLM55CT3AG Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo FET4 N-Channel (Three Level Inverter)
Funzione FETSilicon Carbide (SiC)
Tensione Drain to Source (Vdss)1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs49mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 2mA (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs98nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1900pF @ 1000V
Potenza - Max250W
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP3
Pacchetto dispositivo fornitoreSP3

I prodotti a cui potresti essere interessato

NTHD3100CT1

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A, 3.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

165pF @ 10V

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

ChipFET™

DMC3018LSD-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.1A, 6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.4nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

631pF @ 15V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

FDG8842CZ

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V, 25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

750mA, 410mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 750mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.44nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

120pF @ 10V

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-88 (SC-70-6)

AON5820_101

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1510pF @ 10V

Potenza - Max

1.7W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-DFN-EP (2x5)

IRF7325PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 7.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2020pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Venduto di recente

ASVTX-12-A-38.400MHZ-I15-T

ASVTX-12-A-38.400MHZ-I15-T

Abracon

XTAL OSC VCTCXO 38.4000MHZ SNWV

L5973ADTR

L5973ADTR

STMicroelectronics

IC REG BUCK ADJUSTABLE 2A 8HSOP

PFS7539H

PFS7539H

Power Integrations

IC PFC CTLR 1000W 180VAC 16ESIP

NL453232T-3R3J-PF

NL453232T-3R3J-PF

TDK

FIXED IND 3.3UH 355MA 800 MOHM

F55J25R

F55J25R

Ohmite

RES CHAS MNT 25 OHM 5% 55W

MC33174DG

MC33174DG

ON Semiconductor

IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOIC

XC6VLX130T-2FFG1156I

XC6VLX130T-2FFG1156I

Xilinx

IC FPGA 600 I/O 1156FCBGA

MAX999EUK+T

MAX999EUK+T

Maxim Integrated

IC COMP BEYOND-THE-RAILS SOT23-5

MT29F4G08ABADAH4-IT:D

MT29F4G08ABADAH4-IT:D

Micron Technology Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

LH1511BAB

LH1511BAB

Vishay Semiconductor Opto Division

SSR RELAY SPST-NC 200MA 0-200V

S25FL064LABMFI010

S25FL064LABMFI010

Cypress Semiconductor

IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8SOIC

MAX3162EAI

MAX3162EAI

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 28SSOP