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PMDT670UPE,115

PMDT670UPE,115

Solo per riferimento

Numero parte PMDT670UPE,115
PNEDA Part # PMDT670UPE-115
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 145.830
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PMDT670UPE Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePMDT670UPE,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
PMDT670UPE, PMDT670UPE Datasheet (Totale pagine: 16, Dimensioni: 909,51 KB)
PDFPMDT670UPE Datasheet Copertura
PMDT670UPE Datasheet Pagina 2 PMDT670UPE Datasheet Pagina 3 PMDT670UPE Datasheet Pagina 4 PMDT670UPE Datasheet Pagina 5 PMDT670UPE Datasheet Pagina 6 PMDT670UPE Datasheet Pagina 7 PMDT670UPE Datasheet Pagina 8 PMDT670UPE Datasheet Pagina 9 PMDT670UPE Datasheet Pagina 10 PMDT670UPE Datasheet Pagina 11

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PMDT670UPE Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C550mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs850mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.14nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds87pF @ 10V
Potenza - Max330mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-666

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NVMFD5C466NT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Ta), 49A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.1mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 25V

Potenza - Max

3W (Ta), 38W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

FF45MR12W1M1B11BOMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Silicon Carbide (SiC)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Tj)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 25A, 15V (Typ)

Vgs (th) (Max) @ Id

5.55V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1840pF @ 800V

Potenza - Max

20mW (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

AG-EASY1BM-2

IRF7504TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

240pF @ 15V

Potenza - Max

1.25W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

Micro8™

AON7934

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A, 15A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.2mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

485pF @ 15V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN-EP (3x3)

APTM20DUM05G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

317A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 158.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

448nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

27400pF @ 25V

Potenza - Max

1136W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Pacchetto / Custodia

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