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IRF7303QTRPBF

IRF7303QTRPBF

Solo per riferimento

Numero parte IRF7303QTRPBF
PNEDA Part # IRF7303QTRPBF
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.268
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 25 - dic 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRF7303QTRPBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRF7303QTRPBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
IRF7303QTRPBF, IRF7303QTRPBF Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 238,95 KB)
PDFIRF7303QTRPBF Datasheet Copertura
IRF7303QTRPBF Datasheet Pagina 2 IRF7303QTRPBF Datasheet Pagina 3 IRF7303QTRPBF Datasheet Pagina 4 IRF7303QTRPBF Datasheet Pagina 5 IRF7303QTRPBF Datasheet Pagina 6 IRF7303QTRPBF Datasheet Pagina 7 IRF7303QTRPBF Datasheet Pagina 8 IRF7303QTRPBF Datasheet Pagina 9

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  • IRF7303QTRPBF Distributor

IRF7303QTRPBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds520pF @ 25V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 1A, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 10V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

WMini8-F1

DMN53D0LDW-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

360mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

46pF @ 25V

Potenza - Max

310mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-363

DMN3013LDG-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.5A (Ta), 15A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.3mOhm @ 4A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 15V

Potenza - Max

2.16W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerLDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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SI5509DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.1A, 4.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

52mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.6nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

455pF @ 10V

Potenza - Max

4.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.8A, 8.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18.5mOhm @ 6.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 5V

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