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PBRN113EK,115

PBRN113EK,115

Solo per riferimento

Numero parte PBRN113EK,115
PNEDA Part # PBRN113EK-115
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.798
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PBRN113EK Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePBRN113EK,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato
Datasheet
PBRN113EK, PBRN113EK Datasheet (Totale pagine: 17, Dimensioni: 772,76 KB)
PDFPBRN113ES Datasheet Copertura
PBRN113ES Datasheet Pagina 2 PBRN113ES Datasheet Pagina 3 PBRN113ES Datasheet Pagina 4 PBRN113ES Datasheet Pagina 5 PBRN113ES Datasheet Pagina 6 PBRN113ES Datasheet Pagina 7 PBRN113ES Datasheet Pagina 8 PBRN113ES Datasheet Pagina 9 PBRN113ES Datasheet Pagina 10 PBRN113ES Datasheet Pagina 11

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PBRN113EK Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)600mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)40V
Resistenza - Base (R1)1 kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)1 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce180 @ 300mA, 5V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic1.15V @ 8mA, 800mA
Corrente - Taglio collettore (Max)500nA
Frequenza - Transizione-
Potenza - Max250mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSMT3; MPAK

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Produttore

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Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

2.2 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-85

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Resistenza - Base (R1)

10 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

50mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-101, SOT-883

Pacchetto dispositivo fornitore

CST3

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

80MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Resistenza - Base (R1)

-

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

-

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-

Pacchetto / Custodia

-

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Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

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Potenza - Max

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