PBRN113ES Datasheet
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Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo di transistor NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 800mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 40V Resistenza - Base (R1) 1 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 1 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 300mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 1.15V @ 8mA, 800mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione - Potenza - Max 700mW Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo di transistor NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 600mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 40V Resistenza - Base (R1) 1 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 1 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 300mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 1.15V @ 8mA, 800mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione - Potenza - Max 250mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SMT3; MPAK |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo di transistor NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 600mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 40V Resistenza - Base (R1) 1 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 1 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 300mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 1.15V @ 8mA, 800mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione - Potenza - Max 250mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-236AB |
