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NTTFS5C466NLTAG

NTTFS5C466NLTAG

Solo per riferimento

Numero parte NTTFS5C466NLTAG
PNEDA Part # NTTFS5C466NLTAG
Descrizione AFSM T6 40V LL U8FL
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.562
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NTTFS5C466NLTAG Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTTFS5C466NLTAG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NTTFS5C466NLTAG, NTTFS5C466NLTAG Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 118,61 KB)
PDFNTTFS5C466NLTAG Datasheet Copertura
NTTFS5C466NLTAG Datasheet Pagina 2 NTTFS5C466NLTAG Datasheet Pagina 3 NTTFS5C466NLTAG Datasheet Pagina 4 NTTFS5C466NLTAG Datasheet Pagina 5

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NTTFS5C466NLTAG Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
Funzione FET-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C14A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore8-WDFN (3.3x3.3)

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Tc), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V

Potenza - Max

20.2W, 40W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PowerPair®

SI6954ADQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

53mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

830mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

SI5938DU-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 10V

Potenza - Max

8.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

24V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.6W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

260mOhm @ 1.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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